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1. (WO2011159705) MÉCANISME D'ÉCRITURE ET D'EFFACEMENT POUR DISPOSITIF MÉMOIRE RÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/159705 N° de la demande internationale : PCT/US2011/040362
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 14.06.2011
CIB :
G11C 13/00 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/14 (2006.01)
Déposants : NAZARIAN, Hagop; US (UsOnly)
JO, Sung, Hyun; US (UsOnly)
CROSSBAR, INC.; 3200 Patrick Henry Drive Suite 110 Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
Inventeurs : NAZARIAN, Hagop; US
JO, Sung, Hyun; US
Mandataire : CHO, Steve, Y.; Ampacc Law Group, PLLC 6100 219th Street SW, Ste 580 Mountlake Terrace, WA 98043, US
Données relatives à la priorité :
12/815,36914.06.2010US
Titre (EN) WRITE AND ERASE SCHEME FOR RESISTIVE MEMORY DEVICE
(FR) MÉCANISME D'ÉCRITURE ET D'EFFACEMENT POUR DISPOSITIF MÉMOIRE RÉSISTIF
Abrégé : front page image
(EN) A method for programming a two terminal resistive memory device, the method includes applying a bias voltage to a first electrode of a resistive memory cell of the device; measuring a current flowing through the cell; and stopping the applying of the bias voltage if the measured current is equal to or greater than a predetermined value.
(FR) L'invention concerne un procédé servant à programmer un dispositif mémoire résistif à deux borne, le procédé consistant à appliquer une tension de polarisation à une première électrode d'une cellule mémoire résistive du dispositif ; à mesurer un courant circulant à travers la cellule ; et à arrêter l'application de la tension de polarisation si le courant mesuré est supérieur ou égal à une valeur prédéterminée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)