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1. (WO2011159691) DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE FILMS DE RUTHÉNIUM CONTENANT DE L'OXYGÈNE OU DU CARBONE

Pub. No.:    WO/2011/159691    International Application No.:    PCT/US2011/040336
Publication Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Wed Jun 15 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01L 21/31
H01L 21/205
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
KIM, Hoon
LEE, Sang-Hyeob
YU, Sang Ho
LEE, Wei Ti
GANGULI, Seshadri
HA, Hyoung-Chan
Inventors: KIM, Hoon
LEE, Sang-Hyeob
YU, Sang Ho
LEE, Wei Ti
GANGULI, Seshadri
HA, Hyoung-Chan
Title: DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE FILMS DE RUTHÉNIUM CONTENANT DE L'OXYGÈNE OU DU CARBONE
Abstract:
La présente invention concerne des procédés pour déposer des films contenant du ruthénium. Dans certains modes de réalisation, un procédé de dépôt d'un film contenant du ruthénium sur un substrat peut comprendre le dépôt d'un film contenant du ruthénium sur un substrat en utilisant un précurseur contenant du ruthénium, le film contenant du ruthénium déposé ayant du carbone incorporé dans celui-ci ; et l'exposition du film contenant du ruthénium déposé à un gaz contenant de l'oxygène pour éliminer au moins une partie du carbone du film contenant du ruthénium déposé. Dans certains modes de réalisation, le film contenant du ruthénium exposé au gaz contenant de l'oxygène peut être recuit dans un gaz contenant de l'hydrogène pour éliminer au moins une partie de l'oxygène du film contenant du ruthénium. Dans certains modes de réalisation, le dépôt, l'exposition, et le recuit peuvent être répétés pour déposer le film contenant du ruthénium à une épaisseur souhaitée.