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1. (WO2011159691) DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE FILMS DE RUTHÉNIUM CONTENANT DE L'OXYGÈNE OU DU CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/159691    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/040336
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 14.06.2011
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
KIM, Hoon [KR/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Sang-Hyeob [KR/US]; (US) (US Seulement).
YU, Sang Ho [KR/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Wei Ti [US/US]; (US) (US Seulement).
GANGULI, Seshadri [US/US]; (US) (US Seulement).
HA, Hyoung-Chan [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Hoon; (US).
LEE, Sang-Hyeob; (US).
YU, Sang Ho; (US).
LEE, Wei Ti; (US).
GANGULI, Seshadri; (US).
HA, Hyoung-Chan; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702 (US)
Données relatives à la priorité :
61/356,391 18.06.2010 US
13/155,520 08.06.2011 US
Titre (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF RUTHENIUM FILMS CONTAINING OXYGEN OR CARBON
(FR) DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE FILMS DE RUTHÉNIUM CONTENANT DE L'OXYGÈNE OU DU CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for depositing ruthenium-containing films are provided herein. In some embodiments, a method of depositing a ruthenium-containing film on a substrate may include depositing a ruthenium-containing film on a substrate using a ruthenium-containing precursor, the deposited ruthenium-containing film having carbon incorporated therein; and exposing the deposited ruthenium-containing film to an oxygen-containing gas to remove at least some of the carbon from the deposited ruthenium-containing film. In some embodiments, the oxygen-containing gas exposed ruthenium-containing film may be annealed in a hydrogen-containing gas to remove at least some oxygen from the ruthenium-containing film. In some embodiments, the deposition, exposure, and annealing may be repeated to deposit the ruthenium-containing film to a desired thickness.
(FR)La présente invention concerne des procédés pour déposer des films contenant du ruthénium. Dans certains modes de réalisation, un procédé de dépôt d'un film contenant du ruthénium sur un substrat peut comprendre le dépôt d'un film contenant du ruthénium sur un substrat en utilisant un précurseur contenant du ruthénium, le film contenant du ruthénium déposé ayant du carbone incorporé dans celui-ci ; et l'exposition du film contenant du ruthénium déposé à un gaz contenant de l'oxygène pour éliminer au moins une partie du carbone du film contenant du ruthénium déposé. Dans certains modes de réalisation, le film contenant du ruthénium exposé au gaz contenant de l'oxygène peut être recuit dans un gaz contenant de l'hydrogène pour éliminer au moins une partie de l'oxygène du film contenant du ruthénium. Dans certains modes de réalisation, le dépôt, l'exposition, et le recuit peuvent être répétés pour déposer le film contenant du ruthénium à une épaisseur souhaitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)