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1. (WO2011159583) COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/159583 N° de la demande internationale : PCT/US2011/040105
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 10.06.2011
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
Déposants :
KREUPL, Franz [DE/DE]; US (UsOnly)
BANDYOPADHYAY, Abhijit [US/US]; US (UsOnly)
CHEN, Yung-Tin [US/US]; US (UsOnly)
FU, Chu-Chen [US/US]; US (UsOnly)
JAYASEKARA, Wipul, Pemsiri [US/US]; US (UsOnly)
KAI, James [US/US]; US (UsOnly)
MAKALA, Raghuveer, S. [IN/US]; US (UsOnly)
RABKIN, Peter [US/US]; US (UsOnly)
SAMACHISA, George [US/US]; US (UsOnly)
ZHANG, Jingyan [US/US]; US (UsOnly)
SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
KREUPL, Franz; US
BANDYOPADHYAY, Abhijit; US
CHEN, Yung-Tin; US
FU, Chu-Chen; US
JAYASEKARA, Wipul, Pemsiri; US
KAI, James; US
MAKALA, Raghuveer, S.; US
RABKIN, Peter; US
SAMACHISA, George; US
ZHANG, Jingyan; US
Mandataire :
MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105, US
Données relatives à la priorité :
13/157,20409.06.2011US
61/356,32718.06.2010US
61/467,93625.03.2011US
Titre (EN) COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS
(FR) COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
Abrégé :
(EN) A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME) in series with a steering element. The RSME has first and second resistance-switching layers on either side of a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. The first and second resistance-switching layers can both have a bipolar or unipolar switching characteristic. In a set or reset operation of the memory cell, an ionic current flows in the resistance-switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element. Particular materials and combinations of materials for the different layers of the RSME are provided.
(FR) La présente invention concerne une mémoire placée dans une mémoire vive en 3D qui comprend des cellules de mémoire. Chaque cellule de mémoire comprend un élément de mémoire à commutation de résistance (RSME) en série avec un élément de direction. Le RSME présente une première et une seconde couche à commutation de résistance de chaque côté d'une couche conductrice intermédiaire et une première et une seconde électrode à chaque extrémité du RSME. Les première et seconde couches à commutation de résistance peuvent toutes deux avoir une caractéristique de commutation bipolaire ou unipolaire. Dans une opération de réglage ou de remise à zéro de la cellule de mémoire, un courant ionique circule dans les couches à commutation de résistance, contribuant à un mécanisme de commutation. Un flux d'électrons, qui ne contribue pas au mécanisme de commutation, est réduit en raison de la diffusion par la couche conductrice intermédiaire, afin d'éviter d'endommager l'élément de direction. L'invention concerne également des matériaux et des associations de matériaux particuliers pour les différentes couches du RSME.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)