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1. (WO2011159422) COUCHE GERME ET COUCHE MAGNÉTIQUE LIBRE POUR ANISOTROPIE PERPENDICULAIRE DANS UNE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/159422 N° de la demande internationale : PCT/US2011/036910
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 18.05.2011
CIB :
G11B 5/33 (2006.01)
Déposants : WORLEDGE, Daniel, C.[US/US]; US (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.[US/US]; New Orchard Rd. Armonk, New York 10504, US (AllExceptUS)
Inventeurs : WORLEDGE, Daniel, C.; US
Mandataire : SULLIVAN, Sean, F.; Cantor Colburn LLP. 20 Church St., 22nd Floor Hartford, Connecticut 06103-3207, US
Données relatives à la priorité :
12/815,92315.06.2010US
Titre (EN) SEED LAYER AND FREE MAGNETIC LAYER FOR PERPENDICULAR ANISOTROPY IN A SPIN-TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) COUCHE GERME ET COUCHE MAGNÉTIQUE LIBRE POUR ANISOTROPIE PERPENDICULAIRE DANS UNE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN
Abrégé : front page image
(EN) A magnetic layer that includes a seed layer comprising at least tantalum and a free magnetic layer comprising at least iron. The free magnetic layer is grown on top of the seed layer and the free magnetic layer is perpendicularly magnetized. The magnetic layer may be included in a magnetic tunnel junction (MTJ) stack.
(FR) L'invention porte sur une couche magnétique qui comprend une couche germe comprenant au moins du tantale et une couche magnétique libre comprenant au moins du fer. La couche magnétique libre est faite croître au-dessus de la couche germe et la couche magnétique libre est aimantée perpendiculairement. La couche magnétique peut être incluse dans un empilement formant jonction tunnel magnétique (MTJ).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)