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1. (WO2011158900) CELLULE SOLAIRE À FILM MINCE EN CIS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/158900 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/063797
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 16.06.2011
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
Déposants : MORIMOTO, Takuya[JP/JP]; JP (UsOnly)
SUGIMOTO, Hiroki[JP/JP]; JP (UsOnly)
HAKUMA, Hideki[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHOWA SHELL SEKIYU K. K.[JP/JP]; Daiba Frontier Building, 2-3-2, Daiba, Minato-ku, Tokyo 1358074, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : MORIMOTO, Takuya; JP
SUGIMOTO, Hiroki; JP
HAKUMA, Hideki; JP
Mandataire : ONO, Shinjiro; YUASA AND HARA Section 206, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Données relatives à la priorité :
2010-13835617.06.2010JP
Titre (EN) CIS THIN FILM SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE À FILM MINCE EN CIS
(JA) CIS系薄膜太陽電池
Abrégé :
(EN) Disclosed is a CIS thin film solar cell (10) according to one embodiment of the present invention, in which a backside electrode layer (14) that is divided by a pattern 1 (P1), a CIS light absorption layer (16), and a transparent conductive film are sequentially formed on a substrate (12). The CIS thin film solar cell (10) is characterized in that: the backside electrode layer (14) comprises an intermediate layer (20) on the surface that is in contact with the CIS light absorption layer (16), said intermediate layer (20) being composed of a compound of a metal that constitutes the backside electrode layer (14) and a group VI element that constitutes the CIS light absorption layer (16); the intermediate layer (20) comprises a first intermediate layer portion (20a) which is formed on the upper surface that is parallel to the substrate (12) and a second intermediate layer portion (20b) which is formed on the lateral surface that is perpendicular to the substrate (12) and faces the pattern 1 (P1); and the film thickness of the second intermediate layer portion (20b) is larger than the film thickness of the first intermediate layer portion (20a).
(FR) La présente invention concerne, dans un de ses modes de réalisation, une cellule solaire (10) à film mince en CIS comportant une couche (14) d'électrode de face arrière divisée par un motif 1 (P1), une couche (16) d'absorption de lumière en CIS et un film conducteur transparent qui sont formés séquentiellement sur un substrat (12). La cellule solaire (10) à film mince en CIS est caractérisée en ce que : la couche (14) d'électrode de face arrière comporte une couche intermédiaire (20) sur la surface en contact avec la couche (16) d'absorption de lumière en CIS, ladite couche intermédiaire (20) étant constituée d'un composé à base d'un métal constitutif de la couche (14) d'électrode de face arrière et d'un élément du groupe VI constitutif de la couche (16) d'absorption de lumière en CIS ; la couche intermédiaire (20) comporte une première partie (20a) de couche intermédiaire qui est formée sur la surface supérieure parallèle au substrat (12) et une deuxième partie (20b) de couche intermédiaire formée sur la surface latérale qui est perpendiculaire au substrat (12) et fait face au motif 1 (P1) ; et l'épaisseur de film de la deuxième partie (20b) de couche intermédiaire est supérieure à l'épaisseur de film de la première partie (20a) de couche intermédiaire.
(JA)  本発明のある態様にかかるCIS系薄膜太陽電池10は、基板12上に、パターン1(P1)によって分割された裏面電極層14と、CIS系光吸収層16と、透明導電膜とが順に形成されたCIS系薄膜太陽電池10であって、裏面電極層14は、CIS系光吸収層16に接する表面に、裏面電極層14を構成する金属とCIS系光吸収層16を構成するVI族元素との化合物からなる中間層20を備え、中間層20は、基板12に対して平行な上面に形成された第1の中間層部20aと、基板12に対して垂直でありパターン1(P1)に対向する側面に形成された第2の中間層部20bと、を備え、第2の中間層部20bの膜厚が、第1の中間層部20aの膜厚よりも大きいことを特徴とする。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)