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1. (WO2011158827) DÉTECTEUR DE RAYONS ULTRAVIOLETS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DÉTECTEUR DE RAYONS ULTRAVIOLETS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158827    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/063580
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 14.06.2011
CIB :
H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1,Higashikotari 1-chome,Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAMURA Kazutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAMURA Kazutaka; (JP)
Mandataire : KUNIHIRO Yasutoshi; 10F, Samty shinosaka front Bldg., 14-10, Nishinakajima 5-chome, Yodogawaku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-139345 18.06.2010 JP
Titre (EN) ULTRAVIOLET RAY SENSOR, AND PROCESS FOR PRODUCTION OF ULTRAVIOLET RAY SENSOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONS ULTRAVIOLETS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DÉTECTEUR DE RAYONS ULTRAVIOLETS
(JA) 紫外線センサ、及び紫外線センサの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an ultraviolet ray sensor comprising: a p-type semiconductor layer (1) which is mainly composed of a solid solution of NiO and ZnO; and a n-type semiconductor layer (2) which is mainly composed of ZnO and is bound to the p-type semiconductor layer (1) in such a state where a part of the surface of the p-type semiconductor layer (1) is exposed. A first terminal electrode (3a) that is connected to an internal electrode (4) and a second terminal electrode (3b) that is connected to the n-type semiconductor layer (2) are formed at both ends of the p-type semiconductor layer (1), respectively. The internal electrode (4) is composed of a composite oxide represented by general formula: RNiO3 or the like, containing a rare earth element (R) and Ni as the main components, and having low resistivity. The ultraviolet ray sensor can detect ultraviolet ray readily as a photovoltaic power without the need of using any peripheral circuit and without causing delamination or the like, is inexpensive, and can have a reduced size.
(FR)L'invention concerne un détecteur de rayons ultraviolets, comprenant : une couche semi-conductrice de type p (1) qui est principalement composée d'une solution solide de NiO et de ZnO ; et une couche semi-conductrice de type n (2) qui est principalement composée de ZnO et qui est collée sur la couche semi-conductrice de type p (1) de telle sorte qu'une partie de la surface de la couche semi-conductrice de type p (1) est exposée. Une première électrode de broche (3a) qui est connectée à une électrode intérieure (4) et une seconde électrode de broche (3b) qui est connectée à la couche semi-conductrice de type n (2) sont formées aux deux extrémités de la couche semi-conductrice de type p (1), respectivement. L'électrode intérieure (4) est composée d'un oxyde composite représenté par la formule générale RniO3 ou similaire, contenant une terre rare (R) et Ni comme composants principaux et ayant une faible résistivité. Le détecteur de rayons ultraviolets peut facilement détecter les rayons ultraviolets sous la forme d'électricité photovoltaïque sans nécessiter aucun circuit périphérique et sans provoquer de délamination ou similaire ; il est peu onéreux et peut avoir une taille réduite.
(JA) NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層1と、ZnOを主成分としかつp型半導体層1の表面の一部が露出した形態でp型半導体層1に接合されたn型半導体層2とを有している。p型半導体層1の両端部には内部電極4に接続された第1の端子電極3aと、n型半導体層2に接続された第2の端子電極3bとが形成されている。内部電極4は、一般式RNiO等で表される希土類元素RとNiを主成分とした低抵抗の複合酸化物で形成されている。これにより周辺回路を必要とせず、かつデラミネーション等を生じることもなく、光起電力として紫外線を容易に検出することができる安価で小型化が可能な紫外線センサを実現する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)