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1. (WO2011158780) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION

Pub. No.:    WO/2011/158780    International Application No.:    PCT/JP2011/063482
Publication Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Tue Jun 14 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01L 29/786
G02F 1/1368
G09F 9/30
H01L 21/20
H01L 21/336
H01L 21/8244
H01L 27/08
H01L 27/11
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
YAMANAKA Masaki
山中 雅貴
HOTTA Kazushige
堀田 和重
Inventors: YAMANAKA Masaki
山中 雅貴
HOTTA Kazushige
堀田 和重
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Abstract:
L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs, dans lequel dispositif un premier transistor en couches minces du type à canal n et un second transistor en couches minces du type à canal p sont disposés sur un même substrat. Le premier transistor en couches minces a une première couche semi-conductrice (11), et le second transistor en couches minces a une deuxième couche semi-conductrice (20), une troisième couche semi-conductrice (21) et une quatrième couche semi-conductrice (22). La première couche semi-conductrice (11), la deuxième couche semi-conductrice (20), la troisième couche semi-conductrice (21) et la quatrième couche semi-conductrice (22) sont constituées par le même film, et les première et deuxième couches semi-conductrices (11, 20), ont, respectivement, des parties en pente (11e, 20e) positionnées à des périphéries respectives, et des parties principales (11m, 20m) constituées par des parties autres que les parties en pente. Une impureté de type p est implantée dans la partie en pente (11e) de la première couche semi-conductrice sous une concentration supérieure à celle dans la partie principale (11m) de la première couche semi-conductrice et à celle dans la partie principale (20m) de la deuxième couche semi-conductrice.