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1. (WO2011158722) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/158722 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/063190
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 02.06.2011
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : YAMAZAKI, Shunpei[JP/JP]; JP (UsOnly)
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.[JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; JP
Données relatives à la priorité :
2010-13999318.06.2010JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN) A photoelectric conversion device having a new anti-reflection structure is provided. A photoelectric conversion device includes a first-conductivity-type crystalline semiconductor region that is provided over a conductive layer; a crystalline semiconductor region that is provided over the first-conductivity-type crystalline semiconductor region and has an uneven surface by including a plurality of whiskers including a crystalline semiconductor; and a second-conductivity-type crystalline semiconductor region that covers the uneven surface of the crystalline semiconductor region having the uneven surface, the second conductivity type being opposite to the first conductivity type. In the photoelectric conversion device, a concentration gradient of an impurity element imparting the first conductivity type is formed from the first-conductivity-type crystalline semiconductor region toward the crystalline semiconductor region having the uneven surface.
(FR) L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique ayant une nouvelle structure contre la réflexion. Un dispositif de conversion photoélectrique comprend une région semiconductrice cristalline d'un premier type de conductivité qui est placée sur une couche conductrice ; une région semiconductrice cristalline qui est placée sur la région semiconductrice cristalline du premier type de conductivité et qui possède une surface irrégulière en incluant une pluralité de barbes, y compris un semiconducteur cristallin ; et une région semiconductrice cristalline d'un second type de conductivité qui recouvre la surface irrégulière de la région semiconductrice cristalline ayant la surface irrégulière, le second type de conductivité étant opposé au premier type de conductivité. Dans ce dispositif de conversion photoélectrique, un gradient de concentration d'un élément d'impureté produisant le premier type de conductivité est formé à partir de la région semiconductrice cristalline du premier type de conductivité, en direction de la région semiconductrice cristalline ayant la surface irrégulière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)