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1. (WO2011158718) LIQUIDE DE POLISSAGE DESTINÉ À UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158718    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/063171
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 08.06.2011
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (Tous Sauf US).
NOMURA Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAGAWA Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKASHITA Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOMURA Yutaka; (JP).
NAKAGAWA Hiroshi; (JP).
SAKASHITA Masahiro; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-139460 18.06.2010 JP
Titre (EN) POLISHING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE DESTINÉ À UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UNE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a polishing liquid for a semiconductor substrate, which contains modified silica particles the surfaces of which are modified by an aluminate, a water-soluble polymer and water. The content of the water-soluble polymer is more than 0% by mass but 1.00% by mass or less based on the total mass of the polishing liquid for a semiconductor substrate, and the polishing liquid has a pH of 5.0-9.0 (inclusive). Also disclosed is a method for producing a semiconductor wafer, which comprises a polishing step wherein the surface of a semiconductor substrate is polished using the polishing liquid for a semiconductor substrate so as to obtain a semiconductor wafer.
(FR)La présente invention a trait à un liquide de polissage destiné à un substrat semi-conducteur, qui contient des particules de silice modifiées dont les surfaces sont modifiées par un aluminate, un polymère soluble dans l'eau et de l'eau. La teneur en polymère soluble dans l'eau est supérieure à 0 % en masse mais inférieure ou égale à 1,00 % en masse en fonction de la masse totale du liquide de polissage destiné à un substrat semi-conducteur, et le liquide de polissage a un pH allant de 5,0 à 9,0 (inclus). La présente invention a également trait à un procédé permettant de produire une plaquette semi-conductrice, lequel procédé comprend une étape de polissage au cours de laquelle la surface d'un substrat semi-conducteur est polie à l'aide du liquide de polissage destiné à un substrat semi-conducteur de manière à obtenir une plaquette semi-conductrice.
(JA) 本発明の半導体基板用研磨液は、表面がアルミネートにより改質されている変性シリカ粒子と、水溶性高分子と、水と、を含み、水溶性高分子の含有量が、半導体基板用研磨液の全質量基準で0質量%を超え1.00質量%以下であり、pHが5.0以上9.0以下である。本発明の半導体ウエハの製造方法は、上記半導体基板用研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨して半導体ウエハを得る研磨工程を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)