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1. (WO2011158704) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158704    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/063092
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 01.06.2011
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIZUKA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YONEMITSU, Yutaka; (US Seulement).
SASAGAWA, Shinya; (US Seulement)
Inventeurs : ISHIZUKA, Akihiro; (JP).
YONEMITSU, Yutaka; .
SASAGAWA, Shinya;
Données relatives à la priorité :
2010-139715 18.06.2010 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An object is to provide a method for manufacturing a semiconductor device including an oxide semiconductor and having improved electric characteristics. The semiconductor device includes an oxide semiconductor film, a gate electrode overlapping the oxide semiconductor film, and a source electrode and a drain electrode electrically connected to the oxide semiconductor film. The method includes the steps of forming a first insulating film including gallium oxide over and in contact with the oxide semiconductor film; forming a second insulating film over and in contact with the first insulating film; forming a resist mask over the second insulating film; forming a contact hole by performing dry etching on the first insulating film and the second insulating film; removing the resist mask by ashing using oxygen plasma; and forming a wiring electrically connected to at least one of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode through the contact hole.
(FR)Un objectif de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprenant un oxyde semiconducteur et offrant des caractéristiques électriques améliorées. Le dispositif semiconducteur comprend un film d'oxyde semiconducteur, une électrode de grille qui se superpose au film d'oxyde semiconducteur, ainsi qu'une électrode de source et une électrode de drain qui sont connectées électriquement au film d'oxyde semiconducteur. Le procédé comprend les étapes suivantes : formation d'un premier film isolant comprenant de l'oxyde de gallium au-dessus d'un film d'oxyde semiconducteur et au contact de celui-ci ; formation d'un second film isolant au-dessus du premier film isolant et au contact de celui-ci ; formation d'un masque de résine photosensible au-dessus du second film isolant ; formation d'un trou de contact par gravure sèche dans le premier film isolant et le second film isolant ; élimination de la couche de résine photosensible par cendrage au plasma d'oxygène ; et formation d'un conducteur connecté électriquement par le trou de contact avec au moins une électrode parmi l'électrode de grille, l'électrode de source et l'électrode de drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)