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1. (WO2011158619) DISPOSITIF À CAPACITÉ VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158619    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/061924
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 25.05.2011
CIB :
H01G 5/16 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
UMEDA Keiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UMEDA Keiichi; (JP)
Mandataire : Kaede Patent Attorneys' Office; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-134629 14.06.2010 JP
Titre (EN) VARIABLE CAPACITANCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À CAPACITÉ VARIABLE
(JA) 可変容量装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a variable capacitance device in which the minimum RF capacitance when the movable beam is in contact with the dielectric film can be made smaller than was previously possible. The variable capacitance device (1) includes a support plate (2), a movable beam (3), drive capacitor sections (C2A, C2B), and RF capacitor sections (C1A, C1B). The movable beam (3) is cantilevered in parallel with the principal surface of the support plate (2). Each drive capacitor section (C2A, C2B), as well as each RF capacitor section (C1A, C1B), is made up of: a pair of drive capacitor electrodes, or a pair of RF capacitor electrodes, that are provided so as to respectively face the movable beam (3) and the support plate (2) lengthwise along the direction of the principal axis of the movable beam (3); and a dielectric film (8) provided between the electrodes. Each RF capacitor section (C1A, C1B) has a structure in which the area defined by the pair of RF capacitor electrodes opposing one another across the dielectric film (8) is locally reduced in the periphery of the movable end of the movable beam (3).
(FR)L'invention concerne un dispositif à capacité variable, dans lequel la capacité RF minimum quand une poutre mobile est en contact avec le film diélectrique peut être réduite davantage que dans les dispositifs existants. Ce dispositif (1) à capacité variable comprend une plaque de support (2), une poutre mobile (3), des parties (C2A, C2B) de condensateur d'excitation et des parties (C1A, C1B) de condensateur RF. La poutre mobile (3) est en porte-à-faux, parallèlement à la surface principale de la plaque de support (2). Chaque partie (C2A, C2B) de condensateur d'excitation et chaque partie (C1A, C1B) de condensateur RF est constituée: de deux électrodes de condensateur d'excitation ou deux électrodes de condensateur RF, qui sont prévues respectivement face à la poutre mobile (3) et à la plaque support (2), dans le sens de la longueur, suivant la direction de l'axe principal de la poutre mobile (3); et d'un film diélectrique (8), prévu entre les électrodes. Chaque partie (C1A, C1B) de condensateur RF comporte une structure dans laquelle la zone définie par les deux électrodes de condensateur RF opposées, de part et d'autre du film diélectrique (8), est réduite localement dans la périphérie de l'extrémité mobile de la poutre mobile (3).
(JA)可動梁が誘電体膜に接触する状態でのRF容量の最小値を従来よりも小さくすることができる可変容量装置を提供する。可変容量装置(1)は、支持板(2)と可動梁(3)と駆動容量部(C2A,C2B)とRF容量部(C1A,C1B)とを備える。可動梁(3)は支持板(2)の主面に平行する片持ち梁構造である。駆動容量部(C2A,C2B)とRF容量部(C1A,C1B)はそれぞれ、可動梁(3)の主軸方向に沿って長尺に可動梁(3)と支持板(2)とに対向して設けられる一対の駆動容量電極及び一対のRF容量電極と、その電極間に介在する誘電体膜(8)とからなる。RF容量部(C1A,C1B)は、可動梁(3)における可動端周辺で、誘電体膜(8)を介して一対のRF容量電極が対向する面積を局所的に低減した構成である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)