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1. (WO2011158612) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE SILICIUM POLYCRISTALLIN À BASSE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/158612 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/061772
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 23.05.2011
CIB :
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants : HAMANO, Kuniyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
KAJIYAMA, Koichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
MIZUMURA, Michinobu[JP/JP]; JP (UsOnly)
V Technology Co., Ltd.[JP/JP]; 134 Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : HAMANO, Kuniyuki; JP
KAJIYAMA, Koichi; JP
MIZUMURA, Michinobu; JP
Mandataire : FUJIMAKI, Masanori; HOYU PATENT OFFICE 19th Floor, Yokohama Creation Square 5-1 Sakae-cho Kanagawa-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2210052, JP
Données relatives à la priorité :
2010-13659515.06.2010JP
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR FORMING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON FILM
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE SILICIUM POLYCRISTALLIN À BASSE TEMPÉRATURE
(JA) 低温ポリシリコン膜の形成装置及び方法
Abrégé :
(EN) With the disclosed method, it is possible to freely adjust the direction of growth of crystal grains in accordance with the position that is to be polycrystallized, and at that position, a low-temperature polysilicon film is obtained of which the direction of growth of the crystal grains is assembled in a set direction. A light-shield region (31) that is of laser light and that extends in one direction and a transmitting region (32) are provided to a mask (3) in a manner so as to be neighboring in a direction perpendicular to the aforementioned one direction. By means of a microlens (5), laser light is radiated with the mask (3) therebetween to a region (7) at which channel region formation is planned. The laser light that is transmitted through the transmitting region (32) is radiated to an a-Si:H film, annealing and polycrystallizing this portion. Next, when the mask (3) is removed and laser light is radiated to the entire planned region (7), the melting point of the region that is already polycrystallized is raised and so this region does not melt, and the region that remains amorphous is melted and solidified, and is polycrystallized.
(FR) L'invention concerne un procédé qui permet de régler librement le sens de croissance de grains cristallins selon la position de polycristallisation, et dans cette position, un film de silicium polycristallin à basse température est obtenu, le sens de croissance des grains cristallins étant assemblé dans un sens défini. Une région de protection contre la lumière (31), qui est une lumière laser et qui s'étend dans une direction et une région d'émission (32) sont fournies à un masque (3), elles sont ainsi voisines dans une direction perpendiculaire à la direction susmentionnée. Au moyen d'une microlentille (5), une lumière laser est irradiée, le masque (3) étant entre elles, vers une région (7) où la formation de la région de canal est prévue. La lumière laser émise par le biais de la région d'émission (32) est irradiée vers un film a-Si:H, cette partie étant recuite et polycristallisée. Puis, lorsque le masque (3) est enlevé et la lumière laser est irradiée vers l'ensemble de la région prévue (7), le point de fusion de la région déjà polycristallisée est augmenté de façon qu'elle ne fonde pas, et la région restant amorphe est fondue, solidifiée et polycristallisée.
(JA)  結晶粒の成長方向を多結晶化すべき位置に応じて任意に調整することができ、その位置において、結晶粒の成長方向が一定の方向に揃った低温ポリシリコン膜を得る。 マスク3には、一方向に延びるレーザ光の遮光領域31と透過領域32とが、前記一方向に垂直の方向に隣接するように設けられている。このマスク3を介してマイクロレンズ5によりレーザ光をチャネル領域形成予定領域7に照射する。透過領域32を透過したレーザ光が、a-Si:H膜に照射されてこの部分をアニールして多結晶化する。次に、マスク3を取り外して、予定領域7の全体にレーザ光を照射すると、既に多結晶化している領域は融点が上昇していて溶融せず、アモルファスのままの領域が溶融凝固して多結晶化する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)