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1. (WO2011158557) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET APPAREIL DE NETTOYAGE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158557    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/059820
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 21.04.2011
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
MIYAZAKI, Tomihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WADA, Keiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIYOSHI, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYAZAKI, Tomihito; (JP).
WADA, Keiji; (JP).
HIYOSHI, Toru; (JP)
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-136869 16.06.2010 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR AND APPARATUS FOR CLEANING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET APPAREIL DE NETTOYAGE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体の洗浄方法および炭化珪素半導体の洗浄装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for cleaning a SiC semiconductor, which is provided with a step (step (S2)) of forming an oxide film (3) on the surface of the SiC semiconductor (1), and a step (step (S3)) of removing the oxide film (3). In the step (step (S3)) of removing the oxide film (3), the oxide film (3) is removed using halogen plasma or hydrogen plasma. In the step (step (S3)) of removing the oxide film (3), fluorine plasma is preferably used as the halogen plasma. The SiC semiconductor (1) can be cleaned so as to have excellent surface characteristics.
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé de nettoyage d'un semi-conducteur au SiC, qui comprend une étape (étape (S2)) consistant à former un film d'oxyde (3) sur la surface du semi-conducteur au SiC (1), et une étape (étape (S3)) consistant à retirer le film d'oxyde (3). Dans l'étape (étape (S3)) consistant à retirer le film d'oxyde (3), le film d'oxyde (3) est retiré à l'aide d'un plasma halogéné ou d'un plasma hydrogéné. Dans l'étape (étape (S3)) consistant à retirer le film d'oxyde (3), un plasma fluoré est utilisé de préférence en tant que plasma halogéné. Le semi-conducteur au SiC (1) peut être nettoyé de façon à présenter d'excellentes caractéristiques de surface.
(JA) SiC半導体の洗浄方法は、SiC半導体(1)の表面に酸化膜(3)を形成する工程(ステップS2)と、酸化膜(3)を除去する工程(ステップS3)とを備え、酸化膜(3)を除去する工程(ステップS3)では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマによって、酸化膜(3)を除去する。酸化膜(3)を除去する工程(ステップS3)では、ハロゲンプラズマとしてフッ素プラズマを用いることが好ましい。表面特性が良好になるようにSiC半導体(1)を洗浄することができる。 
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)