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1. (WO2011158531) AGRÉGAT DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/158531 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/054296
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 25.02.2011
CIB :
B82B 1/00 (2006.01) ,C01B 19/04 (2006.01) ,C01B 25/08 (2006.01) ,C01B 33/02 (2006.01) ,G01N 21/64 (2006.01) ,G01N 21/78 (2006.01)
Déposants : TAKAHASHI Masaru[JP/JP]; JP (UsOnly)
HOSHINO Hideki[JP/JP]; JP (UsOnly)
Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.[JP/JP]; 1, Sakura-machi, Hino-shi, Tokyo 1918511, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : TAKAHASHI Masaru; JP
HOSHINO Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
2010-13698516.06.2010JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE AGGREGATE
(FR) AGRÉGAT DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
(JA) 半導体ナノ粒子集積体
Abrégé :
(EN) Disclosed is a semiconductor nanoparticle aggregate with a high emission luminance and without concentration quenching even when semiconductor nanoparticles that emit fluorescent light are densely accumulated. The semiconductor nanoparticle aggregate contains semiconductor nanoparticles with a core/shell structure and is characterized by being formed by re-shelling semiconductor nanoparticle agglomerates.
(FR) L'invention concerne un agrégat de nanoparticules semi-conductrices avec une luminance élevée en émission et sans extinction par concentration, même quand les nanoparticules semi-conductrices qui émettent une lumière fluorescente sont accumulées de façon dense. Ledit agrégat contient des nanoparticules semi-conductrices avec une structure cœur/coquille et est formé en réenrobant des agglomérats de nanoparticules semi-conductrices.
(JA)  蛍光発光する半導体ナノ粒子を高密度に集積させても濃度消光せず、発光輝度の高い半導体ナノ粒子集積体を提供する。 本発明の半導体ナノ粒子集積体は、コア/シェル構造を持つ半導体ナノ粒子を含有する半導体ナノ粒子集積体であって、当該半導体ナノ粒子の凝集体を再シェリングすることにより形成されたことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)