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1. (WO2011158514) PANNEAU DE CELLULE SOLAIRE DE TYPE POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/158514 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/003476
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 17.06.2011
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
Déposants : NAKAYAMA, Ichiro; null (UsOnly)
YAMANISHI, Hitoshi; null (UsOnly)
OHIDO, Yoshihisa; null (UsOnly)
KAMIKIHARA, Nobuyuki; null (UsOnly)
OKUMURA, Tomohiro; null (UsOnly)
PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NAKAYAMA, Ichiro; null
YAMANISHI, Hitoshi; null
OHIDO, Yoshihisa; null
KAMIKIHARA, Nobuyuki; null
OKUMURA, Tomohiro; null
Mandataire : WASHIDA, Kimihito; 8th Floor, Shinjuku First West Bldg., 1-23-7, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
Données relatives à la priorité :
2010-13794717.06.2010JP
2010-13794817.06.2010JP
2010-13794917.06.2010JP
Titre (EN) POLYCRYSTALLINE-TYPE SOLAR CELL PANEL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) PANNEAU DE CELLULE SOLAIRE DE TYPE POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 多結晶型太陽電池パネルおよびその製造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a polycrystalline-type silicon solar cell which can be produced at low cost by forming a polycrystalline silicon film having a PN junction in a simple manner. Specifically, an amorphous silicon film produced by sputtering using a dopant-containing silicon target is polycrystallized with plasma, and a PN junction is formed in the amorphous silicon film, thereby producing a polycrystalline silicon film having a PN junction. The polycrystalline silicon film having a PN junction is used as a silicon substrate for a polycrystalline-type silicon solar cell. Also disclosed is a technique for producing a dopant-containing silicon target from a silicon ingot.
(FR) La présente invention a trait à une cellule solaire au silicium de type polycristallin qui peut être produite à un faible coût en formant un film de silicium polycristallin doté d'une jonction PN de manière simple. Plus particulièrement, un film de silicium amorphe produit par pulvérisation à l'aide d'une cible de silicium contenant un dopant est polycristallisé avec du plasma, et une jonction PN est formée dans le film de silicium amorphe, ce qui permet de produire de la sorte un film de silicium polycristallin doté d'une jonction PN. Le film de silicium polycristallin doté d'une jonction PN est utilisé en tant que substrat de silicium pour une cellule solaire au silicium de type polycristallin. La présente invention a également trait à une technique permettant de produire une cible de silicium contenant un dopant à partir d'un lingot de silicium.
(JA)  本発明は、PN接合を有する多結晶シリコン膜を簡便に形成することで、低コストな多結晶型シリコン太陽電池を提供することを目的とする。具体的に本発明は、ドーパント含有シリコンターゲットを用いてスパッタ成膜したアモルファスシリコン膜をプラズマで多結晶化し、それにPN接合を形成することでPN接合を有する多結晶シリコン膜を形成し、多結晶型シリコン太陽電池のシリコン基板とする。さらに本発明は、ドーパント含有シリコンターゲットを、シリコンインゴットから得る手法を提供する。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)