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1. (WO2011158468) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158468    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/003254
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 09.06.2011
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
TOYOTA, Kei; (US Seulement)
Inventeurs : TOYOTA, Kei;
Mandataire : HARADA, Yohei; ORIX Hommachi Bldg. 4th Floor, 4-1, Nishi-Honmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-134914 14.06.2010 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In the disclosed semiconductor device, a protective film (12) with a lower elastic modulus than an underfill material (13) is used to successively coat opposing surfaces of a semiconductor element (11) and a substrate (10) and the surface of the substrate (10) via connection parts (15) from the semiconductor element (11), and adjacent parts of the protective film (12) are integrated together. Furthermore, there are underfill parts (13) filled with the aforementioned underfill material in gaps between adjacent parts of the protective film (12). This minimizes damage from stress due to thermal properties, resulting in high reliability even with a low pitch between the connection parts.
(FR)Selon l'invention, les faces opposées l'une à l'autres d'un élément semi-conducteur (11) et d'un substrat (10), ainsi que la surface du substrat (10) depuis l'élément semi-conducteur (11) jusqu'aux parties de connexion (15), sont revêtues en continu par des films de protection (12) dont le module d'élasticité est plus faible que celui d'un matériau de remplissage (13), et les films de protection (12) adjacents sont solidarisés. En outre, les parties de remplissage (13) renfermant le matériau de remplissage, se trouvent dans les intervalles des films de protection (12) adjacents. Ainsi, les dommages provoqués par une contrainte due aux propriétés thermiques, sont évités, et la fiabilité demeure élevée même lorsque le pas des parties de connexion est réduit.
(JA) 半導体素子11と基板10とのそれぞれの対向面と、半導体素子11から接続部15を経て基板10の表面が、アンダーフィル材料13よりも弾性率の低い保護膜12によって連続して被覆され、隣接した保護膜12が一体化している。更に、隣接している保護膜12の隙間にアンダーフィル材料が充填されたアンダーフィル部13があって、熱特性による発生応力による損傷を抑制でき、接続部のピッチが小さくなっても信頼性が高い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)