WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011158445) ÉLÉMENT D'ONDE ACOUSTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158445    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/003025
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 31.05.2011
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/72 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
OKAMOTO, Shoji; (US Seulement).
GOTO, Rei; (US Seulement).
NAKANISHI, Hidekazu; (US Seulement).
NAKAMURA, Hiroyuki; (US Seulement)
Inventeurs : OKAMOTO, Shoji; .
GOTO, Rei; .
NAKANISHI, Hidekazu; .
NAKAMURA, Hiroyuki;
Mandataire : NAITO, Hiroki; c/o Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-137956 17.06.2010 JP
2010-252543 11.11.2010 JP
2010-252544 11.11.2010 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'ONDE ACOUSTIQUE
(JA) 弾性波素子
Abrégé : front page image
(EN)An IDT electrode comprises, in order from the piezoelectric body side, a first electrode layer having Mo as the main component, and a second electrode layer which is provided on the first electrode layer and which has Al as the main component thereof. The IDT electrode has a total film thickness of not more than 0.15λ, with the first electrode layer having a film thickness of at least 0.05λ and the second electrode layer having a film thickness of at least 0.025λ.
(FR)L'invention concerne une électrode IDT comprenant dans l'ordre, à partir d'un côté de corps piézo-électrique, une première couche d'électrode contenant Mo comme composant principal, et une seconde couche d'électrode qui est disposée sur la première couche d'électrode et qui contient Al comme composant principal. L'électrode IDT présente une épaisseur totale de film inférieure ou égale à 0,15λ, la première couche d'électrode présentant une épaisseur de film d'au moins 0,05λ et la seconde couche d'électrode présentant une épaisseur de film d'au moins 0,025λ.
(JA) IDT電極は、圧電体側から順に、Moを主成分とする第1電極層と、第1電極層の上に設けられたAlを主成分とする第2電極層とを有し、IDT電極は、0.15λ以下の総膜厚を有すると共に、第1電極層は、0.05λ以上の膜厚を有し、第2電極層は、0.025λ以上の膜厚を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)