JP2011003025 ÉLÉMENT D'ONDE ACOUSTIQUE

1. (WO2011158445) ÉLÉMENT D'ONDE ACOUSTIQUE

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Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication :		WO/2011/158445		N° de la demande internationale :		PCT/JP2011/003025
Date de publication :		22.12.2011		Date de dépôt international :		31.05.2011

CIB :

H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/72 (2006.01)

Déposants :

PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
OKAMOTO, Shoji; (US Seulement).
GOTO, Rei; (US Seulement).
NAKANISHI, Hidekazu; (US Seulement).
NAKAMURA, Hiroyuki; (US Seulement)

Inventeurs :

OKAMOTO, Shoji; .
GOTO, Rei; .
NAKANISHI, Hidekazu; .
NAKAMURA, Hiroyuki;

Mandataire :

NAITO, Hiroki; c/o Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)

Données relatives à la priorité :

2010-137956	17.06.2010	JP
2010-252543	11.11.2010	JP
2010-252544	11.11.2010	JP

Titre

(EN) ACOUSTIC WAVE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'ONDE ACOUSTIQUE
(JA) 弾性波素子

Abrégé :

(EN)An IDT electrode comprises, in order from the piezoelectric body side, a first electrode layer having Mo as the main component, and a second electrode layer which is provided on the first electrode layer and which has Al as the main component thereof. The IDT electrode has a total film thickness of not more than 0.15λ, with the first electrode layer having a film thickness of at least 0.05λ and the second electrode layer having a film thickness of at least 0.025λ.
(FR)L'invention concerne une électrode IDT comprenant dans l'ordre, à partir d'un côté de corps piézo-électrique, une première couche d'électrode contenant Mo comme composant principal, et une seconde couche d'électrode qui est disposée sur la première couche d'électrode et qui contient Al comme composant principal. L'électrode IDT présente une épaisseur totale de film inférieure ou égale à 0,15λ, la première couche d'électrode présentant une épaisseur de film d'au moins 0,05λ et la seconde couche d'électrode présentant une épaisseur de film d'au moins 0,025λ.
(JA)　ＩＤＴ電極は、圧電体側から順に、Ｍｏを主成分とする第１電極層と、第１電極層の上に設けられたＡｌを主成分とする第２電極層とを有し、ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層は、０．０５λ以上の膜厚を有し、第２電極層は、０．０２５λ以上の膜厚を有する。

États désignés :

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

Langue de publication :	japonais (JA)
Langue de dépôt :	japonais (JA)

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