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1. (WO2011158438) PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158438    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/002855
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 23.05.2011
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
SUGA, Katsuyuki; (US Seulement)
Inventeurs : SUGA, Katsuyuki;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-134935 14.06.2010 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCTION OF DISPLAY DEVICE
(FR) PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置の製造方法、及び表示装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a semiconductor device, comprising: a first step of forming a first element region in which multiple elements are arranged in an assembled form, on a first substrate; a second step of transferring the multiple elements formed on the first substrate onto a holding member while keeping the arrangement form thereof, thereby retaining the multiple elements on the holding member; a third step of rearranging the multiple elements, which have been retained on the holding member, on an intermediate substrate to retain the multiple elements on the intermediate substrate, thereby forming a second element region having a different structure from that of the first element region on the intermediate substrate; and a forth step of rearranging the multiple elements, which have been retained on the intermediate substrate, on a second substrate in a dispersed state and attaching the multiple elements onto the second substrate.
(FR)La présente invention concerne un processus de production d'un dispositif à semi-conducteur, comprenant : une première étape de formation d'une première zone d'éléments dans laquelle de multiples éléments sont disposés suivant une forme assemblée sur un premier substrat ; une deuxième étape de transfert des multiples éléments formés sur le premier substrat sur un élément de retenue tout en maintenant la forme de disposition desdits éléments, ce qui permet de retenir les multiples éléments sur l'élément de retenue ; une troisième étape de redisposition des multiples éléments ayant été retenus sur l'élément de retenue sur un substrat intermédiaire pour retenir les multiples éléments sur le substrat intermédiaire, ce qui permet de former une seconde zone d'éléments présentant une structure différente de celle de la première zone d'éléments sur le substrat intermédiaire ; et une quatrième étape de redisposition des multiples éléments ayant été retenus sur le substrat intermédiaire, sur un second substrat dans un état dispersé et de fixation des multiples éléments sur le second substrat.
(JA) 半導体装置の製造方法は、複数の素子が集合して配列された第1素子領域を第1基板に形成する第1工程と、第1基板に形成されている複数の素子を、そのままの配列状態で保持部材に移転して保持させる第2工程と、保持部材に保持されている複数の素子を中間基板に配列し直して保持させることにより、中間基板に第1素子領域と異なる形状の第2素子領域を形成する第3工程と、中間基板に保持されている複数の素子を、第2基板に分散配置させて貼り付ける第4工程とを具備する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)