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1. (WO2011158118) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION D'UNE CONFIGURATION DE CONTACT ÉLECTRIQUE SUR UNE PHOTOPILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/158118 N° de la demande internationale : PCT/IB2011/001736
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 14.06.2011
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : SOLANKI, Chetan, Singh[IN/IN]; IN (UsOnly)
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY[IN/IN]; Bombay Powai Mumbai 400 076 Maharashtra, IN (AllExceptUS)
Inventeurs : SOLANKI, Chetan, Singh; IN
Mandataire : MADAN, Jose, A.; Khaitan & Co Advocates, Notaries, Patent & Trade Mark Attorneys One Indiabulls Centre, 13th floor 841 Senapati Bapat Marg Mumbai 400 013 Maharashtra, IN
Données relatives à la priorité :
1787/MUM/201014.06.2010IN
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR FORMING AN ELECTRICAL CONTACT PATTERN ON A SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION D'UNE CONFIGURATION DE CONTACT ÉLECTRIQUE SUR UNE PHOTOPILE
Abrégé :
(EN) A method of forming an electrical contact pattern on a solar cell (100) comprising the steps of forming a pre-form of the electrical contact pattern on a top surface (144) of the solar cell (100) thermosetting the pre-form contact pattern having a MERCK IS ISHAPE etching paste (142) disposed thereon to a temperature of about 390°C, and subjecting the solar cell (100) to metallization process for deposition of metal on the etched contact pattern.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'une configuration de contact électrique sur une photopile (100) comprenant les étapes consistant à former une préforme de la configuration de contact électrique sur une surface supérieure (144) de la photopile (100), à thermodurcir la configuration de contact de préforme sur laquelle est disposée une pâte pour gravure MERCK IS ISHAPE (142) à une température d'environ 390 °C, et à soumettre la photopile (100) à un processus de métallisation pour déposer du métal sur la configuration de contact gravée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)