WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011157883) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'ANTENNE À AUTO-COMPENSATION PAR GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/157883    N° de la demande internationale :    PCT/FI2010/050516
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 17.06.2010
CIB :
H01Q 1/22 (2006.01), H01Q 1/38 (2006.01), H01Q 9/16 (2006.01), C23F 1/02 (2006.01)
Déposants : SMARTRAC IP B.V. [NL/NL]; Strawinskylaan 851 NL-1077 XX Amsterdam (NL) (Tous Sauf US).
MANNINEN, Antti [FI/FI]; (FI) (US Seulement)
Inventeurs : MANNINEN, Antti; (FI)
Mandataire : EEROLA, Katja; TAMPEREEN PATENTTITOIMISTO OY Hermiankatu 1 B FI-33720 Tampere (FI)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING AN AUTOCOMPENSATING ANTENNA STRUCTURE BY ETCHING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'ANTENNE À AUTO-COMPENSATION PAR GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)An antenna structure (2) comprising at least a non-conducting substrate (3) and an electrically conductive antenna line configuration (4', 4'', 4''') supported by the substrate (3), the electrically conductive antenna line configuration (4', 4'', 4''') being formed in an etching process by etching away locally by etchant an electrically conductive coating material supported by the substrate (3). The antenna structure (2) further comprises at least one electrically conductive tuning element (7) of the same electrically conductive coating material. The tuning element (7) is at least partly formed simultaneously with the electrically conductive antenna line configuration (4', 4'', 4''') in the same etching process, the tuning element having after the etching process dimensional shape and geometry to at least partly compensate the effect of over-or under-etching in the electrical properties of the antenna structure (2).
(FR)La présente invention concerne une structure d'antenne (2) comprenant au moins un substrat non conducteur (3) et une configuration de ligne d'antenne électroconductrice (4', 4'', 4''') portée par le substrat (3), la configuration de ligne d'antenne électroconductrice (4', 4'', 4''') étant formée au cours d'un processus de gravure par retrait local par gravure, à l'aide d'un agent de gravure, d'un matériau de revêtement électroconducteur porté par le substrat (3). La structure d'antenne (2) comprend en outre au moins un élément de réglage électroconducteur (7) du même matériau de revêtement électroconducteur. L'élément de réglage (7) est au moins en partie formé simultanément avec la configuration de ligne d'antenne électroconductrice (4', 4'', 4''') au cours du même processus de gravure, l'élément de réglage présentant, après le processus de gravure, une forme et une géométrie dimensionnelles pour compenser au moins en partie l'effet de gravure excessive ou de gravure insuffisante dans les propriétés électriques de la structure d'antenne (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)