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1. (WO2011157684) SYSTÈME OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/157684    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/059793
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 14.06.2011
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Str. 2 73447 Oberkochen (DE) (Tous Sauf US).
EHM, Dirk Heinrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEISS, Markus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZACZEK, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HACKL, Tobias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SEITZ, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : EHM, Dirk Heinrich; (DE).
WEISS, Markus; (DE).
ZACZEK, Christoph; (DE).
HACKL, Tobias; (DE).
SEITZ, Wolfgang; (DE)
Mandataire : WERNER & TEN BRINK - PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFTSGESELLSCHAFT; Mendelstr.11 48149 Münster (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2010 030 023.3 14.06.2010 DE
61/354,558 14.06.2010 US
Titre (EN) OPTICAL SYSTEM
(FR) SYSTÈME OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)To prevent reflective optical elements (2) for EUV lithography from getting electrically charged as they are irradiated with EUV radiation (4), an optical system for EUV lithography is proposed, comprising a reflective optical element (2), including a substrate (21) with a highly reflective coating (22) emitting secondary electrons when irradiated with EUV radiation (4), and a source (3) of electrically charged particles, which is arranged in such a manner that electrically charged particles can be applied to the reflective optical element (2), wherein the source (3) is a flood gun applying electrons to the reflective optical element (2) as only means for charge carrier compensation.
(FR)La présente invention se rapporte à un système optique pour la lithographie par ultraviolets extrêmes qui permet d'empêcher que des éléments optiques réfléchissants (2) pour la lithographie par ultraviolets extrêmes ne soient électriquement chargés à mesure qu'ils sont éclairés avec un rayonnement ultraviolet extrême (4). Ledit système optique comprend un élément optique réfléchissant (2) comprenant un substrat (21) ayant un revêtement hautement réfléchissant (22) qui émet des électrons secondaires lorsqu'il est éclairé avec un rayonnement ultraviolet extrême (4), et une source (3) de particules chargées électriquement qui est disposée de telle manière que les particules chargées électriquement puissent être appliquées à l'élément optique réfléchissant (2), la source (3) étant un canon qui applique des électrons à l'élément optique réfléchissant (2) comme seul moyen de compensation des porteurs de charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)