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1. (WO2011157097) STRUCTURE DE CATHODE D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE À ÉMISSION DE CHAMP À GRILLE À EFFET D'AMÉLIORATION DE BORD, AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/157097 N° de la demande internationale : PCT/CN2011/074502
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 23.05.2011
CIB :
H01J 1/304 (2006.01) ,H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : GUO, Tailiang[CN/CN]; CN (UsOnly)
ZHANG, Yongai[CN/CN]; CN (UsOnly)
LIN, Jintang[CN/CN]; CN (UsOnly)
WENG, Weixiang[CN/CN]; CN (UsOnly)
YE, Yun[CN/CN]; CN (UsOnly)
FUZHOU UNIVERSITY[CN/CN]; 2# Xueyuan Road, University Town, shangjie, Minhou Fuzhou, Fujian 350108, CN (AllExceptUS)
Inventeurs : GUO, Tailiang; CN
ZHANG, Yongai; CN
LIN, Jintang; CN
WENG, Weixiang; CN
YE, Yun; CN
Mandataire : FUZHOU YUANCHUANG PATENT AND TRADEMARK AGENT LTD.; Room214 Floor5 Zhongrong Commercial Mansion NO.75 Wuyi Middle Road, Taijiang Fuzhou, Fujian 350005, CN
Données relatives à la priorité :
201010200646.613.06.2010CN
Titre (EN) CATHODE STRUCTURE OF GATE FIELD EMISSION DISPLAY WITH EDGE ENHANCEMENT EFFECT AND PREPARATION METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE CATHODE D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE À ÉMISSION DE CHAMP À GRILLE À EFFET D'AMÉLIORATION DE BORD, AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 具有边缘增强效应的栅极场发射阴极结构及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN) A cathode structure of a gate field emission display with edge enhancement effect. The cathode structure comprises a cathode substrate (21), and a cathode unit including an electronic emission cathode material layer, a gate layer and a dielectric layer. The electronic emission cathode material layer and the gate layer are arranged on the cathode glass substrate (21) in a coplanar manner, corresponding to each other and separated by the dielectric layer. Through controlling the width ratio of a strip-shaped electrode (22) to the dielectric layer, the edge of the strip-shaped electrode (22) on the cathode substrate (21) is exposed, and the strip-shaped electrode (22) which is closest to the glass substrate (21) is exposed by etching the glass. The arbitrary selection and control of an emitter and a gate are realized by the electrical characteristics of increasing the electric field strength at the edge of the structure. The edge structure is formed at an emission source, thereby improving the electric field at the emission source. Therefore the control role of the gate is enhanced, the threshold electric field of the field emission cathode is reduced, the field emission performance of the cathode of the field emission display device is improved, the process procedure is simplified and the manufacturing cost is reduced.
(FR) L'invention concerne une structure de cathode d'un dispositif d'affichage à émission de champ à grille à effet d'amélioration de bord. La structure de cathode comprend un substrat de cathode (21) et une unité de cathode comprenant une couche de matériau cathodique d'émission électronique, une couche de grille et une couche diélectrique. La couche de matériau cathodique d'émission électronique et la couche de grille sont disposées sur le substrat de verre de cathode (21) d'une manière coplanaire, en se correspondant l'une à l'autre, et elles sont séparées par la couche diélectrique. Par contrôle du rapport de largeur d'une électrode en forme de ruban (22) à la couche diélectrique, le bord de l'électrode en forme de ruban (22) sur le substrat de cathode (21) est exposé et l'électrode en forme de ruban (22) la plus proche du substrat de verre (21) est exposée par gravure du verre. La sélection et la commande arbitraires d'un émetteur et d'une grille s'effectuent à l'aide des caractéristiques électriques obtenues par augmentation de l'intensité du champ électrique sur le bord de la structure. La structure de bord est formée à une source d'émission, ce qui améliore le champ électrique au niveau de la source d'émission. De ce fait, le rôle de commande de la grille est amélioré, le champ électrique de seuil de la cathode à émission de champ est réduit, les performances d'émission de champ de la cathode du dispositif d'affichage à émission de champ sont améliorées, la procédure de fabrication est simplifiée et le coût de fabrication est réduit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)