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1. (WO2011156749) DÉPÔT DE GRAPHÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156749    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/040035
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 10.06.2011
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/26 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
PADHI, Deenesh [IN/US]; (US) (US Seulement).
JANZEN, Jacob [--/US]; (US) (US Seulement).
SHAIKH, Shahid [--/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Bh [--/US]; (US) (US Seulement).
CHIN, Barry [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PADHI, Deenesh; (US).
JANZEN, Jacob; (US).
SHAIKH, Shahid; (US).
KIM, Bh; (US).
CHIN, Barry; (US)
Mandataire : SANDERS, Jason A.; Eighth Floor Two Embarcadero Center San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
61/353,594 10.06.2010 US
Titre (EN) GRAPHENE DEPOSITION
(FR) DÉPÔT DE GRAPHÈNE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention are directed toward the deposition of Graphene on a semiconductor substrate. In some embodiments, these processes can occur at low temperature levels during a back end of the line process. For example, Graphene can be deposited in a CVD reactor at a processing temperature that is below 600° C to protect previously deposited layers that may be susceptible to sustained higher temperatures. Graphene deposition can include the deposition of an underlayer (e.g., cobalt) followed by the flow of a carbon precursor (e.g., acetylene) at the processing temperature. Graphene can then be synthesized with during cooling, an RTP cure, and/or a UV cure.
(FR)Selon des modes de réalisation, l'invention porte sur le dépôt de graphène sur un substrat semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, ces procédés peuvent avoir lieu à de bas niveaux de température dans une unité de fabrication finale du procédé en ligne. Par exemple, du graphène peut être déposé dans un réacteur de CVD à une température de traitement qui est au-dessous de 600°C afin de protéger les couches préalablement déposées qui peuvent être susceptibles de supporter des températures plus élevées. Le dépôt de graphène peut comprendre le dépôt d'une sous-couche (par exemple de cobalt) suivi par la circulation d'un précurseur de carbone (par exemple d'acétylène) à la température de traitement. Le graphène peut ensuite être synthétisé avec, pendant le refroidissement, un durcissement par RTP et/ou un durcissement par UV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)