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1. (WO2011156705) FORMATION SÉLECTIVE DE FILMS MÉTALLIQUES SUR DES SURFACES MÉTALLIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156705    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/039970
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 10.06.2011
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : ASM INTERNATIONAL N.V. [NL/NL]; Versterkerstraat 8, NL-1322 AP Almere (NL) (Tous Sauf US).
HAUKKA, Suvi, P. [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
NISSKANEN, Antti [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
TUOMINEN, Marko [FI/FI]; (FI) (US Seulement)
Inventeurs : HAUKKA, Suvi, P.; (FI).
NISSKANEN, Antti; (FI).
TUOMINEN, Marko; (FI)
Mandataire : ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe, Martens Olson & Bear, LLP 2040 Main Street, 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
61/353,603 10.06.2010 US
Titre (EN) SELECTIVE FORMATION OF METALLIC FILMS ON METALLIC SURFACES
(FR) FORMATION SÉLECTIVE DE FILMS MÉTALLIQUES SUR DES SURFACES MÉTALLIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Metallic layers can be selectively deposited on surfaces of a substrate relative to a second surface of the substrate. In preferred embodiments, the metallic layers are selectively deposited on copper instead of insulating or dielectric materials. In preferred embodiments, a first precursor forms a layer or adsorbed species on the first surface and is subsequently reacted or converted to form a metallic layer. Preferably the deposition temperature is selected such that a selectivity of above about 90% is achieved.
(FR)Selon l'invention, des couches métalliques peuvent être déposées sur une surface d'un substrat de façon sélective par rapport à une deuxième surface du substrat. Dans des modes de réalisation préférés, les couches métalliques sont sélectivement déposées sur du cuivre plutôt que sur des matériaux isolants ou diélectriques. Dans des modes de réalisation préférés, un premier précurseur forme une couche ou une espèce adsorbée sur la première surface, puis est soumis à une réaction ou transformé pour former une couche métallique. De préférence, la température de dépôt est choisie de manière à obtenir une sélectivité supérieure à environ 90 %.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)