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1. (WO2011156560) PROCÉDÉ POUR TRANCHE DE SILICIUM POUR CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156560    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/039734
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 09.06.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.01.2012    
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : AMTECH SYSTEMS, INC. [US/US]; 131 South Clark Drive Tempe, AZ 85281 (US) (Tous Sauf US).
RHIEU, Jihyo, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RHIEU, Jihyo, M.; (US)
Mandataire : CAHILL, William, C.; Cahill Glazer PLC 155 Park One 2141 E. Highland Avenue Phoenix, AZ 85016 (US)
Données relatives à la priorité :
61/353,742 11.06.2010 US
Titre (EN) SOLAR CELL SILICON WAFER PROCESS
(FR) PROCÉDÉ POUR TRANCHE DE SILICIUM POUR CELLULE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)In the production of silicon solar cells wherein the process includes a dopant diffusion to form a pn junction, a back surface field layer, or a front surface field layer, resulting in the formation of a doped glass surface, a HF vapor etch is utilized to remove the doped glass layer and expose the wafer surface. The exposed surface is subjected to an oxygen treatment for predetermined times and temperatures to alter the surface state. The HF vapor etch followed by the oxygen treatment, or chemical oxidation, results in significant improvement in solar cell electrical properties.
(FR)L'invention concerne la production de cellules solaires en silicium, et porte sur un procédé, qui met en œuvre une diffusion de dopant pour former une jonction pn, une couche de champ de surface arrière, ou une couche de champ de surface avant, ceci ayant pour résultat la formation d'une surface de verre dopée, une gravure par vapeur HF étant utilisée pour retirer la couche de verre dopée et pour exposer la surface de la tranche. La surface exposée est soumise à un traitement à l'oxygène pendant des temps et à des températures prédéterminés pour altérer l'état de la surface. La gravure par vapeur HF suivie par le traitement à l'oxygène, ou l'oxydation chimique, produit en résultat une amélioration significative des propriétés électriques de la cellule solaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)