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1. (WO2011156534) PUISSANCE MULTIFRÉQUENCES POUR ÉLECTRODE DE CHAMBRE À PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156534    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/039689
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 08.06.2011
CIB :
H05H 1/46 (2006.01), H05H 1/34 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : HAMMOND, Edward, P., IV; (US).
TANAKA, Tsutomu; (US).
BOITNOTT, Christopher; (US).
KUDELA, Jozef; (US)
Mandataire : STERN, Robert, J.; 3074 Harcross Rd Woodside, CA 94062-2321 (US)
Données relatives à la priorité :
13/005,526 12.01.2011 US
61/352,817 08.06.2010 US
13/156,328 08.06.2011 US
Titre (EN) MULTIPLE FREQUENCY POWER FOR PLASMA CHAMBER ELECTRODE
(FR) PUISSANCE MULTIFRÉQUENCES POUR ÉLECTRODE DE CHAMBRE À PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)First through fifth RF power signals are respectively coupled to first through fifth RF connection points on an electrode of a plasma chamber. The first, second and third RF power signals have distinct first, second and third frequencies, respectively. The second and fourth RF power signals have the same frequency and opposite phase. The third and fifth RF power signals have the same frequency and opposite phase. The second through fifth RF connection points are geometrically arranged as four successive vertices of a quadrilateral convex polygon. The first RF connection point is closer to the center of the electrode. The center strong spatial distribution of the electric field produced by the first RF power signal is offset by the center weak spatial distribution of the electric field produced by the second through fifth RF power signals. An alternative embodiment omits the third and fifth RF power signals and the third and fifth RF connection points.
(FR)Selon la présente invention, des premier à cinquième signaux de puissance RF sont respectivement couplés à des premier à cinquième points de connexion RF sur une électrode d'une chambre à plasma. Les premier, deuxième et troisième signaux de puissance RF ont des première, deuxième et troisième fréquences distinctes, respectivement. Les deuxième et quatrième signaux de puissance RF ont la même fréquence et une phase opposée. Les troisième et cinquième signaux de puissance RF ont la même fréquence et une phase opposée. Les deuxième à cinquième points de connexion RF sont agencés géométriquement sous la forme de quatre sommets successifs d'un polygone convexe quadrilatère. Le premier point de connexion RF est plus proche du centre de l'électrode. La forte distribution spatiale centrale du champ électrique produit par le premier signal de puissance RF est décalée par la faible distribution spatiale centrale du champ électrique produit par les deuxième à cinquième signaux de puissance RF. Dans une variante du mode de réalisation de l'invention, les troisième et cinquième signaux de puissance RF et les troisième et cinquième points de connexion RF sont omis.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)