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1. (WO2011156379) CIRCUIT RÉSONATEUR ET CIRCUIT AMPLIFICATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156379    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/039451
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 07.06.2011
CIB :
H03B 5/18 (2006.01), H01P 7/00 (2006.01), H03F 1/26 (2006.01)
Déposants : CORNELL UNIVERSITY [US/US]; 395 Pine Tree Road Ithaca, NY 14850 (US) (Tous Sauf US).
AFSHARI, Ehsan [IR/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Wooram [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AFSHARI, Ehsan; (US).
LEE, Wooram; (US)
Mandataire : GREENER, William; Bond, Schoeneck & King, PLLC One Lincoln Center Syracuse, NY 13202 (US)
Données relatives à la priorité :
61/351,964 07.06.2010 US
Titre (EN) RESONATOR CIRCUIT AND AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT RÉSONATEUR ET CIRCUIT AMPLIFICATEUR
Abrégé : front page image
(EN)A passive frequency divider in a CMOS process. More specifically, an electrical distributed parametric oscillator to realize a passive CMOS frequency divider with low phase noise. Instead of using active devices, which are the main sources of noise and power consumption, an oscillation at half of the input frequency is sustained by the parametric process based on nonlinear interaction with the input signal. For example, one embodiment is a 20 GHz frequency divider utilizing a CMOS varactor and made in a 0.13 μιτι CMOS process. In this embodiment: (i) without any dc power consumption, 600 mV differential output amplitude can be achieved for an input amplitude of 600 mV; and (ii) the input frequency ranged from 18.5 GHz to 23.5 GHz with varactor tuning. In this embodiment, the output phase noise is almost 6 dB lower than that of the input signal for all offset frequencies up to 1 MHz. Also, a resonant parametric amplifier with a low noise figure (NF) by exploiting the noise squeezing effect. Noise squeezing occurs through the phase- sensitive amplification process and suppresses one of two quadrature components in input noise. When the input signal is only in the direction of the non-suppressed quadrature component, squeezing can lower that NF by almost 3 dB. The resonant structure of the proposed amplifier achieves the squeezing effect using a low number of LC elements.
(FR)L'invention concerne un diviseur de fréquence passif dans un procédé CMOS. Plus particulièrement, l'invention concerne un oscillateur paramétrique électrique distribué qui permet d'obtenir un diviseur de fréquence passif à CMOS à faible bruit de phase. Au lieu d'utiliser des dispositifs actifs, qui sont la source principale du bruit et de la consommation électrique, une oscillation égale à la moitié de la fréquence d'entrée est fournie par le processus paramétrique sur la base d'une interaction non linéaire avec le signal d'entrée. Par exemple, un mode de réalisation est constitué d'un diviseur de fréquence de 20 GHz utilisant un varactor CMOS et réalisé dans un procédé CMOS 0,13 µm. Dans ce mode de réalisation : (i) sans aucune consommation de courant continu, une amplitude différentielle de sortie de 600 mV peut être obtenue pour une amplitude d'entrée de 600 mV, et (ii) la fréquence d'entrée se situe entre 18,5 GHz et 23,5 GHz avec accord par varactor. Dans ce mode de réalisation, le bruit de phase de sortie est réduit de presque 6 dB par rapport au signal d'entrée pour toutes les fréquences de décalage jusqu'à 1 MHz. L'invention concerne en outre un amplificateur paramétrique résonant à faible valeur de bruit (NF) par exploitation de l'effet de compression du bruit. La compression du bruit est due au processus d'amplification sensible à la phase et supprime l'une des deux composantes en quadrature dans le bruit d'entrée. Lorsque le signal d'entrée se situe uniquement dans la direction de la composante en quadrature non supprimée, la compression peut donner un résultat réduit de presque 3 dB par rapport à la valeur NF. La structure résonante de l'amplificateur proposé permet d'obtenir l'effet de compression à l'aide d'un faible nombre d'éléments LC.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)