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1. (WO2011156357) MÉMOIRE NON VOLATILE AYANT UN RÉSEAU 3D D'ÉLÉMENTS DE LECTURE/ÉCRITURE AVEC UN DÉCODAGE EFFICACE DES LIGNES DE BITS VERTICALES ET DES LIGNES DE MOTS

Pub. No.:    WO/2011/156357    International Application No.:    PCT/US2011/039423
Publication Date: Fri Dec 16 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Wed Jun 08 01:59:59 CEST 2011
IPC: G11C 13/00
H01L 27/24
Applicants: SANDISK 3D LLC
SAMACHISA, George
FASOLI, Luca
HIGASHITANI, Masaaki
SCHEUERLEIN, Roy Edwin
Inventors: SAMACHISA, George
FASOLI, Luca
HIGASHITANI, Masaaki
SCHEUERLEIN, Roy Edwin
Title: MÉMOIRE NON VOLATILE AYANT UN RÉSEAU 3D D'ÉLÉMENTS DE LECTURE/ÉCRITURE AVEC UN DÉCODAGE EFFICACE DES LIGNES DE BITS VERTICALES ET DES LIGNES DE MOTS
Abstract:
Un réseau tridimensionnel d'éléments de mémoire est formé par plusieurs couches de plans positionnés à différentes distances au-dessus d'un substrat semi-conducteur. Les éléments de mémoire changent de manière réversible de niveau de conductance électrique en réponse à une différence de tension appliquée à leurs bornes. Le réseau tridimensionnel comporte un réseau bidimensionnel de lignes de colonnes (331, 332) partant du substrat et traversant les multiples couches de plans. Un premier ensemble de lignes de colonnes (331) agit en tant que lignes de bits locales pour accéder aux éléments de mémoire conjointement avec un réseau de lignes de mots (340) sur chaque plan. Un second ensemble de lignes de colonnes (332) est connecté aux lignes de mots (340). Un réseau de lignes métalliques (251, 252) sur le substrat peut être connecté et/ou déconnecté aux lignes de colonnes afin de fournir un accès aux premier (331) et second (332) ensembles de lignes de colonnes, fournissant de cette façon un accès respectivement aux lignes de bits et aux lignes de mots du réseau tridimensionnel.