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1. (WO2011156266) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À NANOSTRUCTURE COMPORTANT UN CONTACT ÉLECTRIQUE DE PAROI LATÉRALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156266    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/039257
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 06.06.2011
CIB :
H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/18 (2010.01)
Déposants : SUNDIODE, INC. [US/US]; 1398 Borregas Avenue Sunnyvale, CA 94089 (US) (Tous Sauf US).
KIM, James, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
YI, Sungsoo [KR/US]; (US) (US Seulement).
MARS, Danny, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, James, C.; (US).
YI, Sungsoo; (US).
MARS, Danny, E.; (US)
Mandataire : POMERENKE, Ronald, M.; Vierra Magen Markus & DeNiro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
12/796,569 08.06.2010 US
12/796,600 08.06.2010 US
12/796,589 08.06.2010 US
Titre (EN) NANOSTRUCTURE OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING SIDEWALL ELECTRICAL CONTACT
(FR) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À NANOSTRUCTURE COMPORTANT UN CONTACT ÉLECTRIQUE DE PAROI LATÉRALE
Abrégé : front page image
(EN)Nanostructure array optoelectronic devices are disclosed. The optoelectronic device may have a top electrical contact that is physically and electrically connected to sidewalls of the array of nanostructures (e.g., nanocolumns). The top electrical contact may be located such that light can enter or leave the nanostructures without passing through the top electrical contact. Therefore, the top electrical contact can be opaque to light having wavelengths that are absorbed or generated by active regions in the nanostructures. The top electrical contact can be made from a material that is highly conductive, as no tradeoff needs to be made between optical transparency and electrical conductivity. The device could be a solar cell, LED, photo-detector, etc.
(FR)L'invention concerne des dispositifs optoélectroniques à matrice nanostructurée. Le dispositif optoélectronique peut comporter un contact électrique supérieur qui est physiquement et électriquement connecté aux parois latérales de la matrice de nanostructures (par ex., des nanocolonnes). Le contact électrique supérieur peut être situé de telle sorte que la lumière peut entrer ou sortir des nanostructures sans passer à travers le contact électrique supérieur. Par conséquent, le contact électrique supérieur peut être opaque à la lumière dont les longueurs d'ondes sont absorbées ou générées par les zones actives dans les nanostructures. Le contact électrique supérieur peut être constitué d'un matériau qui est hautement conducteur, car aucun compromis n'est nécessaire entre la transparence optique et la conductivité électrique. Le dispositif peut être une cellule solaire, une DEL, un photodétecteur, etc.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)