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1. (WO2011156072) CONFIGURATION DE ZONES DE MISE EN CONTACT DANS DES APPAREILS DE MISE EN CONTACT VAPEUR-LIQUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156072    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/035886
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 10.05.2011
CIB :
B01F 3/04 (2006.01), B01F 5/06 (2006.01), B01D 3/20 (2006.01)
Déposants : UOP LLC [US/US]; 25 East Algonquin Road P.O. Box 5017 Des Plaines, Illinois 60017-5017 (US) (Tous Sauf US).
XU, Zhanping [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Zhanping; (US)
Mandataire : GOLDBERG, Mark; UOP LLC 25 East Algonquin Road P.O. Box 5017 Des Plaines, Illinois 60017-5017 (US)
Données relatives à la priorité :
12/796,824 09.06.2010 US
Titre (EN) CONFIGURATION OF CONTACTING ZONES IN VAPOR-LIQUID CONTACTING APPARATUSES
(FR) CONFIGURATION DE ZONES DE MISE EN CONTACT DANS DES APPAREILS DE MISE EN CONTACT VAPEUR-LIQUIDE
Abrégé : front page image
(EN)Vapor-liquid contacting apparatuses comprising a primary contacting zone and a secondary contacting zone are disclosed. A representative secondary contacting zone is a secondary absorption zone, such as a finishing zone for subsequent contacting of the vapor effluent from the primary contacting zone to further remove impurities and achieve a desired purity of purified gas exiting the secondary absorption zone. The secondary contacting zone is disposed below the primary contacting zone, such that the secondary contacting zone, which must operate efficiently in removing generally trace amounts of remaining impurities, is more protected from movement than the more elevated, primary or initial contacting stages for bulk impurity removal. The apparatuses are therefore especially beneficial in offshore applications where they are subjected to rocking.
(FR)L'invention concerne des appareils de mise en contact vapeur-liquide comprenant une première et une seconde zone de mise en contact. Une seconde zone de mise en contact représentative est une zone d'absorption secondaire, par exemple une zone de finition pour mise en contact subséquente de l'effluent vapeur à partir de la zone de mise en contact primaire pour évacuer davantage d'impuretés et obtenir une pureté recherchée de gaz purifié sortant de la zone d'absorption secondaire. La zone de mise en contact secondaire est placée sous la zone de mise en contact primaire, ainsi, la zone de mise en contact secondaire, qui doit fonctionner efficacement au niveau de l'évacuation de quantités d'impuretés restantes généralement en traces, est davantage protégée contre le déplacement que les stades de mise en contact primaires ou initiaux pour l'évacuation d'impuretés en vrac. Les appareils sont donc particulièrement intéressants dans des applications en mer où ils sont soumis à des balancements.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)