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1. (WO2011156028) NANOSTRUCTURES POREUSES ET NON POREUSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/156028    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/027746
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 09.03.2011
CIB :
C01B 31/02 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), H01L 21/70 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street Austin, TX 78701 (US) (Tous Sauf US).
FERRARI, Mauro [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Xuewu [US/US]; (US) (US Seulement).
CHIAPPINI, Ciro [IT/US]; (US) (US Seulement).
FAKHOURY, Jean, Raymond [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FERRARI, Mauro; (US).
LIU, Xuewu; (US).
CHIAPPINI, Ciro; (US).
FAKHOURY, Jean, Raymond; (US)
Mandataire : AMINI, Farhang; Winstead PC P.O. Box 50784 Dallas, TX 75201 (US)
Données relatives à la priorité :
61/282,627 09.03.2010 US
Titre (EN) POROUS AND NON-POROUS NANOSTRUCTURES
(FR) NANOSTRUCTURES POREUSES ET NON POREUSES
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a variety of porous and non-porous wire-like structures of microscopic and nanoscopic scale. For instance, disclosed are structures that comprise a porous object that comprises: (i) a first region; and (ii) a second region adjacent to the first region along an axis of the object, where the first region has at least one porous property different from that of the second region. Also disclosed are structures that include: (i) a high resistivity silicon; and (ii) a cross-section that is substantially perpendicular to an axis of the object. Also disclosed are methods of making and using such structures. For instance, the present invention provides methods of making a porous object by: (i) obtaining an etchable substrate; (ii) forming on a surface of the substrate a patterned porosification assisting metal layer that has at least one opening; and (iii) subsequently exposing the substrate to a first etching solution and a second etching solution to form respectively a first region and a second region of a porous object.
(FR)L'invention porte sur une variété de structures du type fil poreuses et non poreuses d'échelle microscopique et nanoscopique. Par exemple, il est décrit des structures qui comprennent un objet poreux qui comprend : (i) une première région ; et (ii) une seconde région adjacente à la première région le long d'un axe de l'objet, la première région ayant au moins une propriété poreuse différente de celle de la seconde région. Il est également décrit des structures qui comprennent : (i) un silicium de résistivité élevée ; et (ii) une section transversale qui est sensiblement perpendiculaire à un axe de l'objet. L'invention porte également sur des procédés de fabrication et d'utilisation de telles structures. Par exemple, la présente invention porte sur des procédés de réalisation d'un objet poreux par : (i) obtention d'un substrat pouvant être gravé ; (ii) formation sur une surface du substrat d'une couche métallique d'assistance à la porosité présentant un certain motif qui a au moins une ouverture ; et (iii) ensuite, exposition du substrat à une première solution de gravure et à une seconde solution de gravure afin de former, respectivement, une première région et une seconde région d'un objet poreux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)