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1. (WO2011155951) CIRCUIT À IMPÉDANCE VARIABLE CONTRÔLÉ PAR UN CONDENSATEUR FERROÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/155951    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/038433
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 11.06.2010
CIB :
G11C 11/22 (2006.01), G11C 11/24 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : RADIANT TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 2835D Pan American Freeway NE Albuquerque, NM 87107-1652 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : EVANS, Joseph, Tate; (US)
Mandataire : WARD, Calvin, B.; 18 Crow Canyon Court - Suite 305 San Ramon, CA 94583 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) VARIABLE IMPEDANCE CIRCUIT CONTROLLED BY A FERROELECTRIC CAPACITOR
(FR) CIRCUIT À IMPÉDANCE VARIABLE CONTRÔLÉ PAR UN CONDENSATEUR FERROÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A memory cell comprising a ferroelectric capacitor, a variable impedance element and a conductive load is disclosed. The ferroelectric capacitor, characterized by first and second polarization states, is connected between a control terminal and a first switch terminal. The variable impedance element has an impedance between the first and second switch terminals that is determined by a signal on a control terminal. The conductive load is connected between a first power terminal and the first switch terminal. The second switch terminal is connected to a second power terminal. When a potential difference is applied between the first and second power terminals, a potential on the first switch terminal varies in a manner determined by the state of polarization of the ferroelectric capacitor.
(FR)La présente invention se rapporte à une cellule de mémoire comprenant un condensateur ferroélectrique. Elle se rapporte également à un élément à impédance variable et à une charge conductrice. Le condensateur ferroélectrique, qui est caractérisé par des premier et second états de polarisation, est connecté entre une borne de contrôle et une première borne de commutation. L'élément à impédance variable a une impédance entre les première et seconde bornes de commutation qui est déterminée par un signal sur une borne de contrôle. La charge conductrice est connectée entre une première borne de puissance et la première borne de commutation. La seconde borne de commutation est connectée à une seconde borne de puissance. Quand une différence de potentiel est appliquée entre les première et seconde bornes de puissance, un potentiel sur la première borne de commutation varie d'une manière déterminée par l'état de polarisation du condensateur ferroélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)