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1. (WO2011155858) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GRAPHÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/155858    N° de la demande internationale :    PCT/PL2011/050023
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 06.06.2011
CIB :
C01B 31/04 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 29/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/64 (2006.01)
Déposants : INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH [--/PL]; Warszawa 133 Wólczyńska PL-01-919 Warszawa (PL) (Tous Sauf US).
STRUPIŃSKi, Włodzimierz [PL/PL]; (PL) (US Seulement)
Inventeurs : STRUPIŃSKi, Włodzimierz; (PL)
Mandataire : SIELEWIESIUK, Jakub; AOMB Polska Sp. z o.o. Emilii Plater 53 PL-00-113 Warszawa (PL)
Données relatives à la priorité :
P-391416 07.06.2010 PL
Titre (EN) METHOD OF GRAPHENE MANUFACTURING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GRAPHÈNE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for manufacturing graphene by vapour phase epitaxy on a substrate comprising a surface of SiC, characterized in that the process of sublimation of silicon from the substrate is controlled by a flow of an inert gas or a gas other than an inert gas through the epitaxial reactor. The invention also relates to graphene obtained by this method.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour la fabrication de graphène par épitaxie en phase vapeur sur un substrat comprenant une surface de SiC, caractérisé en ce que le procédé de sublimation du silicium à partir du substrat est contrôlé par un écoulement d'un gaz inerte ou d'un gaz autre qu'un gaz inerte par l'intermédiaire du réacteur épitaxial. L'invention concerne aussi le graphène obtenu par ce procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)