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1. (WO2011155678) MÉMOIRE D'ACCÈS ALÉATOIRE À RÉSISTANCE AYANT UNE STRUCTURE À POINT DE CROISEMENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ

Pub. No.:    WO/2011/155678    International Application No.:    PCT/KR2010/008772
Publication Date: Fri Dec 16 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Thu Dec 09 00:59:59 CET 2010
IPC: H01L 27/115
Applicants: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
광주과학기술원
Jo, Min-Seok
조민석
Hwang, Hyun-Sang
황현상
Inventors: Jo, Min-Seok
조민석
Hwang, Hyun-Sang
황현상
Title: MÉMOIRE D'ACCÈS ALÉATOIRE À RÉSISTANCE AYANT UNE STRUCTURE À POINT DE CROISEMENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abstract:
L'invention concerne une mémoire d'accès aléatoire à résistance ayant une structure de point de croisement, ainsi qu'un procédé de fabrication associé. Le procédé consiste notamment: à former une couche d'oxyde de type p par dépôt d'au moins un de PCMO(Pr1-XCaXMnO3), LCMO(La1-XCaXMnO3), et LSMO(La1-xSrxMnO3) sur un substrat; à former une couche métallique de type n par dépôt d'un métal réactif de type n sur la couche d'oxyde de type p; et à former une barrière de Schottky préparée par réaction de la couche d'oxyde de type p avec le métal réactif de type n. Selon l'invention, étant donné qu'une barrière de Schottky se forme par le biais d'une réaction d'oxydation-réduction entre une couche d'oxyde de type p avec un dépôt de PCMO et une couche métallique de type n avec un dépôt de métal réactif de type n, une mémoire d'accès aléatoire à résistance ayant une structure de point de croisement est fabriquée sans le processus de formation d'un transistor ou d'une diode; de plus, étant donné que des processus additionnels de fabrication d'une diode ou d'un transistor sont inutiles, la rentabilité économique est élevée et le rendement de fabrication est amélioré.