WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011155678) MÉMOIRE D'ACCÈS ALÉATOIRE À RÉSISTANCE AYANT UNE STRUCTURE À POINT DE CROISEMENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/155678    N° de la demande internationale :    PCT/KR2010/008772
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 08.12.2010
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 1, Oryong-dong, Buk-gu Gwangju 500-480 (KR) (Tous Sauf US).
Jo, Min-Seok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
Hwang, Hyun-Sang [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : Jo, Min-Seok; (KR).
Hwang, Hyun-Sang; (KR)
Mandataire : CHO, Young Hyun; (Daeju Patent & Law Office) 8F, Gyeongmok Bldg.(Seocho-dong) 3, Seoun-ro, Seocho-gu Seoul 137-070 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2010-0055292 11.06.2010 KR
Titre (EN) A RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING A CROSS POINT STRUCTURE, AND A METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MÉMOIRE D'ACCÈS ALÉATOIRE À RÉSISTANCE AYANT UNE STRUCTURE À POINT DE CROISEMENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(KO) 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a resistance random access memory having a cross point structure, and a method for manufacturing same. The method includes: forming a p-type oxide layer by depositing at least one of PCMO(Pr1-XCaXMnO3), LCMO(La1-XCaXMnO3), and LSMO(La1-xSrxMnO3) on a substrate; forming an n-type metal layer by depositing an n-type reactive metal on the p-type oxide layer; and forming a Schottky barrier prepared by reacting the p-type oxide layer with the n-type reactive metal. According to the present invention, since a Schottky barrier is self-formed through the oxidation-reduction reaction between a p-type oxide layer having PCMO deposited thereon and an n-type meal layer having an n-type reactive metal deposited thereon, a resistance random access memory having a cross point structure is manufactured without the process for forming a transistor or a diode; and also, since additional processes for manufacturing a diode or a transistor are unnecessary, economical efficiency is high and manufacturing yield is improved.
(FR)L'invention concerne une mémoire d'accès aléatoire à résistance ayant une structure de point de croisement, ainsi qu'un procédé de fabrication associé. Le procédé consiste notamment: à former une couche d'oxyde de type p par dépôt d'au moins un de PCMO(Pr1-XCaXMnO3), LCMO(La1-XCaXMnO3), et LSMO(La1-xSrxMnO3) sur un substrat; à former une couche métallique de type n par dépôt d'un métal réactif de type n sur la couche d'oxyde de type p; et à former une barrière de Schottky préparée par réaction de la couche d'oxyde de type p avec le métal réactif de type n. Selon l'invention, étant donné qu'une barrière de Schottky se forme par le biais d'une réaction d'oxydation-réduction entre une couche d'oxyde de type p avec un dépôt de PCMO et une couche métallique de type n avec un dépôt de métal réactif de type n, une mémoire d'accès aléatoire à résistance ayant une structure de point de croisement est fabriquée sans le processus de formation d'un transistor ou d'une diode; de plus, étant donné que des processus additionnels de fabrication d'une diode ou d'un transistor sont inutiles, la rentabilité économique est élevée et le rendement de fabrication est amélioré.
(KO)본 발명은 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판상에 PCMO(Pr1-XCaXMnO3), LCMO(La1-XCaXMnO3), LSMO(La1-xSrxMnO3) 중 적어도 하나를 증착하여 p형 산화물층을 형성시키는 p형 산화물층 형성단계; 상기 p형 산화물층 상부에 n형 반응성메탈을 증착하여 n형 메탈층을 형성시키는 n형 메탈층 형성단계; 상기 p형 산화물층과 상기 n형 반응성메탈과 반응하여 쇼트키장벽(Schottky barrier)을 형성하는 쇼트키장벽 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, PCMO 등을 증착시킨 p형 산화물층과 n형 반응성메탈을 증착시킨 n형 메탈층간의 산화환원반응을 통해 쇼트키장벽이 자가형성됨으로써, 트랜지스터나 다이오드를 형성하는 공정없이 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리를 제조할 수 있으며, 별도의 다이오드나 트랜지스터의 부가공정이 필요하지 않아, 경제성이 높고, 제조수율이 향상되는 장점이 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)