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1. (WO2011155353) DÉRIVÉ D'HYDROSILANE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE CONTENANT DU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/155353 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/062320
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 30.05.2011
CIB :
C07F 7/02 (2006.01) ,C07F 7/10 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
7
Composés contenant des éléments du 4ème groupe de la classification périodique
02
Composés du silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
7
Composés contenant des éléments du 4ème groupe de la classification périodique
02
Composés du silicium
08
Composés comportant une ou plusieurs liaisons C-Si
10
azotés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
42
Siliciures
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
318
composées de nitrures
Déposants : TADA Ken-ichi; null (UsOnly)
IWANAGA Kohei; null (UsOnly)
YAMAMOTO Toshiki; null (UsOnly)
MANIWA Atsushi; null (UsOnly)
TOSOH CORPORATION[JP/JP]; 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501, JP (AllExceptUS)
Sagami Chemical Research Institute[JP/JP]; 2743-1, Hayakawa, Ayase-shi, Kanagawa 2521193, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : TADA Ken-ichi; null
IWANAGA Kohei; null
YAMAMOTO Toshiki; null
MANIWA Atsushi; null
Mandataire : NAITO Teruo; Shin-ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité :
2010-13253910.06.2010JP
2010-20054208.09.2010JP
2010-25988822.11.2010JP
Titre (EN) HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM
(FR) DÉRIVÉ D'HYDROSILANE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE CONTENANT DU SILICIUM
(JA) ヒドロシラン誘導体、その製造方法、及びケイ素含有薄膜の製造法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a material with which a silicon-containing thin film can be efficiently produced at a low temperature of 500ºC or lower without using plasma or the like. Also disclosed is a method for producing a hydrosilane derivative represented by general formula (1'), comprising reacting a chlorosilane derivative (3) with a compound M2Z (4), wherein R1 and R2 each independently represent an alkyl group having 3 to 12 carbon atoms, M2 represents a sodium atom or the like when Z is an isocyanate group or an isothiocyanate group, M2 represents a hydrogen atom or the like when Z is an amino group, a monosubstituted amino group represented by NHR3, or a disubstituted amino group represented by NR4R5, R3 represents an alkyl group which may be substituted by a fluorine atom and has 1 to 12 carbon atoms, R4 and R5 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and M2 represents a magnesium halide group when Z is an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms. Also disclosed is a method for producing a silicon-containing thin film using the hydrosilane derivative as the material.
(FR) La présente invention concerne une substance avec laquelle il est possible de produire efficacement un film mince contenant du silicium à une température basse de 500 ºC ou inférieure en utilisant du plasma ou analogues. L'invention a également pour objet un procédé de production d'un dérivé d'hydrosilane représenté par la formule générale (1'), comprenant la réaction d'un dérivé de chlorosilane (3) avec un composé M2Z (4), où R1 et R2 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle contenant de 3 à 12 atomes de carbone, M2 représente un atome de sodium ou analogues lorsque Z représente un groupe isocyanate ou un groupe isothiocyanate, M2 représente un atome d'hydrogène ou analogues lorsque Z représente un groupe amino, un groupe amino monosubstitué représenté par NHR3, ou un groupe amino disubstitué représenté par NR4R5, R3 représente un groupe alkyle qui peut être substitué par un atome de fluor et contient de 1 à 12 atomes de carbone, R4 et R5 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle contenant de 1 à 4 atomes de carbone, et M2 représente un groupe halogénure de magnésium lorsque Z représente un groupe alcényle contenant de 2 à 6 atomes de carbone. L'invention a également pour objet un procédé de production d'un film mince contenant du silicium en utilisant le dérivé d'hydrosilane en tant que substance.
(JA)  本発明の課題は、500℃以下の低温でプラズマ等を用いなくても、ケイ素含有薄膜を効率良く作製できる材料を提供することに係る。本発明は、クロロシラン誘導体(3)と化合物MZ(4)を反応させ、一般式(1') (式中、R及びRは各々独立に炭素数3から12のアルキル基を表す。Zがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Mはナトリウム原子等を表す。Zがアミノ基、NHRで表わされる一置換アミノ基又はNRで表わされる二置換アミノ基の場合、Mは水素原子等を表す。Rはフッ素原子で置換されていても良い炭素数1から12のアルキル基を表す。R及びRは各々独立に炭素数1から4のアルキル基を表す。Zが炭素数2から6のアルケニル基の場合、Mはハロゲン化マグネシウム基を表す。)で示されるヒドロシラン誘導体を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造することに係る。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)