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1. (WO2011155261) CAPTEUR DE COURANT À ÉQUILIBRE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/155261 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/059448
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 15.04.2011
CIB :
G01R 15/20 (2006.01)
Déposants : NISHIYAMA, Yoshihiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
SAITO, Masamichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
TAKAHASHI, Akira[JP/JP]; JP (UsOnly)
IIZUKA, Masahiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
ALPS GREEN DEVICES CO., LTD.[JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NISHIYAMA, Yoshihiro; JP
SAITO, Masamichi; JP
TAKAHASHI, Akira; JP
IIZUKA, Masahiro; JP
Mandataire : AOKI, Hiroyoshi; 7F, Nibancho Cashew Bldg., 4-3, Niban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
Données relatives à la priorité :
2010-13221209.06.2010JP
Titre (EN) MAGNETIC BALANCE CURRENT SENSOR
(FR) CAPTEUR DE COURANT À ÉQUILIBRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気平衡式電流センサ
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a magnetic balance current sensor that minimizes the impact of the magnetic hysterisis of a magnetic shield, and improves the linearity of the output of a magnetoresistive element. The magnetic balance current sensor is provided with: a magnetoresistive element (122a), the characteristics of which change due to the induction field from a current to be measured; a feedback coil (121) positioned in the vicinity of the magnetoresistive element (122a), which generates a canceling magnetic field that cancels the induction field; a magnetic shield (30) that attenuates the induction field and enhances the canceling magnetic field; and a hard bias layer (33) disposed on the magnetic shield (30), which minimizes the hysterisis of the magnetic shield (30).
(FR) La présente invention concerne un capteur de courant à équilibre magnétique, qui minimise l'impact de l'hystérésis magnétique d'un blindage magnétique, et qui améliore la linéarité de la sortie d'un élément magnéto-résistif. Le capteur de courant à équilibre magnétique comprend : un élément magnéto-résistif (122a), dont les caractéristiques changent en raison du champ d'induction provenant d'un courant à mesurer ; une bobine à réaction (121), positionnée à proximité de l'élément magnéto-résistif (122a), qui génère un champ magnétique d'annulation qui annule le champ d'induction ; un blindage magnétique (30), qui atténue le champ d'induction et qui accroît le champ magnétique d'annulation ; et une couche de polarisation dure (33), disposée sur le blindage magnétique (30), qui minimise l'hystérésis du blindage magnétique (30).
(JA)  磁気シールドの磁気的なヒステリシスの影響を抑え、磁気抵抗効果素子の出力の線形性を向上させる磁気平衡式電流センサを提供すること。本発明の磁気平衡式電流センサは、被測定電流からの誘導磁界により特性が変化する磁気抵抗効果素子(122a)と、前記磁気抵抗効果素子(122a)の近傍に配置され、前記誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイル(121)と、前記誘導磁界を減衰させると共に前記キャンセル磁界をエンハンスする磁気シールド(30)と、前記磁気シールド(30)上に設けられ、前記磁気シールド(30)のヒステリシスを抑えるハードバイアス層(33)と、を具備することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)