Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2011155210) ELÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE ÉQUIPÉ DUDIT ÉLÉMENT

Pub. No.:    WO/2011/155210    International Application No.:    PCT/JP2011/003270
Publication Date: Fri Dec 16 00:59:59 CET 2011 International Filing Date: Fri Jun 10 01:59:59 CEST 2011
IPC: H01L 27/105
C23C 14/06
G11C 13/00
H01L 45/00
H01L 49/00
Applicants: PANASONIC CORPORATION
パナソニック株式会社
YONEDA, Shinichi
米田 慎一
MIKAWA, Takumi
三河 巧
HAYAKAWA, Yukio
早川 幸夫
NINOMIYA, Takeki
二宮 健生
Inventors: YONEDA, Shinichi
米田 慎一
MIKAWA, Takumi
三河 巧
HAYAKAWA, Yukio
早川 幸夫
NINOMIYA, Takeki
二宮 健生
Title: ELÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE ÉQUIPÉ DUDIT ÉLÉMENT
Abstract:
La présente invention concerne : un élément de mémoire non volatile, permettant de réduire la tension de l'impulsion électrique nécessaire au claquage initial, ainsi que la fluctuation des valeurs de résistivité ; et un dispositif de mémoire non volatile équipé de l'élément de mémoire non volatile. L'élément de mémoire non volatile comprend : une première électrode (103) ; une seconde électrode (105) ; et une couche de résistance variable (104), intercalée entre la première électrode (103) et la seconde électrode (105), et dans laquelle la valeur de résistivité peut varier de manière réversible en fonction d'un signal électrique délivré entre la première électrode (103) et la seconde électrode (105). La couche de résistance variable (104) comprend : une première région (106), en contact avec la première électrode (103) et contenant un oxyde métallique de transition à déficience d'oxygène ; et une seconde région (107), en contact avec la seconde électrode (105), et contenant un oxyde métallique de transition présentant un degré de déficience en oxygène inférieur à celui de la première région (106). La seconde électrode (105) est composée d'un alliage d'iridium et d'au moins un métal noble ayant un module de Young inférieur à celui de l'iridium, et ayant une teneur en iridium supérieure ou égale à 50 % d'atm.