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1. (WO2011155199) APPAREIL DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/155199    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/003243
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 08.06.2011
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
SAKATA, Genji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKATA, Genji; (JP)
Mandataire : SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 9th Fl., Saisho Bldg. 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-133319 10.06.2010 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR MANUFACTURING SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES
(JA) 太陽電池製造装置及び太陽電池製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are an apparatus for manufacturing solar cells and a method for manufacturing solar cells with high productivity and low cost. The apparatus for manufacturing solar cells is provided with: a load lock chamber (2) having a substrate (S) carried thereinto and therefrom by performing switching between an ambient atmosphere and a vacuum atmosphere; a processing chamber (4) wherein impurity ions for forming a pn junction are introduced, in the vacuum atmosphere, into the substrate (S) for a solar cell; and a transfer chamber (1) having a built-in transfer means (6), which transfers the substrate (S) between the load lock chamber (2) and the processing chamber (4). The impurity ions are introduced by radiating the impurity ions from an ion gun (5), and the ion gun (5) is provided such that the grid panel (52), i.e., the ion radiation surface of the ion gun, faces the substrate (S) transferred to the processing chamber (4).
(FR)La présente invention concerne un appareil de fabrication de cellules solaires, ainsi qu'un procédé de fabrication de cellules solaires permettant une productivité élevée associée à un faible coût. L'appareil de fabrication de cellules solaires comprend : un sas de charge (2), comportant un substrat (S) y entrant et en sortant en réalisant un basculement entre une atmosphère ambiante et une atmosphère sous vide ; une chambre de traitement (4), dans laquelle sont introduits des ions d'impureté pour former une jonction pn, dans l'atmosphère sous vide, dans le substrat (S) pour cellule solaire ; et une chambre de transfert (1), dotée d'un moyen de transfert intégré (6), qui transfère le substrat (S) entre le sas de charge (2) et la chambre de traitement (4). Les ions d'impureté sont introduits en soumettant les ions d'impureté au rayonnement d'un canon ionique (5), le canon ionique (5) étant placé de façon à ce que le panneau à grille (52), c'est-à-dire la surface de rayonnement ionique du canon ionique, se trouve en face du substrat (S) transféré vers la chambre de traitement (4).
(JA) 量産性が良くて低コストの太陽電池製造装置及び太陽電池製造方法を提供する。 大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えて基板Sの出し入れを可能とするロードロック室2と、真空雰囲気にて太陽電池用の基板Sに対し、pn接合形成用の不純物のイオンを導入する処理室4と、ロードロック室2と処理室4との間で基板Sを搬送する搬送手段6が内蔵された搬送室1と、を備える。不純物のイオンの導入がイオンガン5からの不純物のイオンの照射にて行われ、イオンガン5は、そのイオン照射面たるグリッド板52が処理室4に搬送されてくる基板Sに対向するように設けられる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)