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1. (WO2011155165) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR SCELLÉ À LA RÉSINE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/155165    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/003135
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 03.06.2011
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/50 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
MINAMIO, Masanori; (US Seulement).
IJIMA, Shinichi; (US Seulement)
Inventeurs : MINAMIO, Masanori; .
IJIMA, Shinichi;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-133638 11.06.2010 JP
Titre (EN) RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR SCELLÉ À LA RÉSINE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a resin-sealed semiconductor device which has: a power element (1) and a control element (4); a first leadframe (3), which includes a first die pad section (3A) that holds the power element (1); a second leadframe (5), which includes a second die pad section (5A) that holds the control element (4); and an outer housing (6), which is composed of a resin material that seals the power element, the first die pad section, the second element and the second die pad section. The lower surface of the second die pad section is disposed higher than the upper surface of the power element, and at least a part of the first die pad section and at least a part of the second die pad section overlap each other in planar view. One of a plurality of first leads and one of a plurality of second leads are electrically connected to each other inside of the outer housing by means of a connecting section (23) directly bonded inside of the outer housing.
(FR)L'invention concerne un dispositif semiconducteur scellé à la résine, comprenant : un élément de puissance (1) et un élément de commande (4) ; un premier cadre de raccordement (3) qui comprend une première section de pastille de puce (3A) qui porte l'élément de puissance (1) ; un second cadre de raccordement (5) qui comprend une seconde section de pastille de puce (5A) qui porte l'élément de commande (4) ; et un boîtier extérieur (6) qui est fait d'un matériau résinique qui scelle l'élément de puissance, la première section de pastille de puce, le second élément et la seconde section de pastille de puce. La surface inférieure de la seconde section de pastille de puce est placée plus haut que la surface supérieure de l'élément de puissance et au moins une partie de la première section de pastille de puce et au moins une partie de la seconde section de pastille de puce sont superposées en vue en plan. Un fil, parmi la pluralité de premiers fils, et un fil, parmi la pluralité de seconds fils, sont connectés électriquement l'un à l'autre à l'intérieur du boîtier extérieur, à l'aide d'une section de connexion (23) directement collée à l'intérieur du boîtier extérieur.
(JA) 樹脂封止型半導体装置は、パワー素子(1)及び制御素子(4)と、パワー素子(1)を保持する第1ダイパッド部(3A)を含む第1リードフレーム(3)と、制御素子(4)を保持する第2ダイパッド部(5A)を含む第2リードフレーム(5)と、パワー素子、第1ダイパッド部、第2素子及び第2ダイパッド部を封止する樹脂材からなる外装体(6)とを有している。第2ダイパッド部の下面は、パワー素子の上面よりも高く配置され、第1ダイパッド部の少なくとも一部と第2ダイパッド部の少なくとも一部とは、平面視で互いに重なっている。複数の第1リードのうちの1つのリードと、複数の第2リードのうちの1つのリードとは、外装体の内部で直接に接合された接合部(23)により、互いに電気的に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)