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1. (WO2011154208) CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAÏQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/154208    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/057478
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 10.05.2011
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
SHAO, Xiaoyan [CN/US]; (US) (US Seulement).
FULLER, Nicholas [TT/US]; (US) (US Seulement).
PAPA RAO, Satyavolu, Srinivas [IN/US]; (US) (US Seulement).
FISHER, Kathryn, Clare [AU/US]; (US) (US Seulement).
HEDRICK, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHAO, Xiaoyan; (US).
FULLER, Nicholas; (US).
PAPA RAO, Satyavolu, Srinivas; (US).
FISHER, Kathryn, Clare; (US).
HEDRICK, Jeffrey; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
12/813,087 10.06.2010 US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A SOLAR CELL WITH BACK- SURFACE FIELD BY ELECTRODEPOSITION AND ANNEALING OF A DOPANT LAYER
(FR) CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of forming a back side surface field of a solar cell without utilizing screen printing. The method includes first forming a p-type dopant layer directly on the back side surface of a semiconductor substrate wherein said substrate includes a p/n junction, utilizing an electrodeposition method. The p/n junction is defined as the interface that is formed between an n-type semiconductor portion of the substrate and an underlying p-type semiconductor portion of the substrate. The plated structure is then annealed to from a P++ back side surface field layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate, Optionally, a metallic film can be electrodeposited on an exposed surface of the P++ back side surface layer.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de formation d'un champ de surface côté arrière d'une cellule solaire sans utilisation d'une impression sérigraphique. Le procédé consiste tout d'abord à former une couche de dopant de type-p directement sur la surface côté arrière du substrat semi-conducteur qui comprend une jonction p-n, à l'aide d'un procédé d'électrodéposition. La jonction p-n est définie comme étant l'interface qui est formée entre une partie semi-conductrice de type-n du substrat et une partie semi-conductrice de type-p sous-jacente du substrat. La structure plaquée est ensuite recuite de façon à former une couche de champ de surface côté arrière P++ directement sur la surface côté arrière du substrat semi-conducteur. Facultativement, un film métallique peut être électrodéposé sur une surface exposée de la couche de surface côté arrière P++.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)