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1. (WO2011153816) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/153816    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/000729
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 25.04.2011
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : FUDAN UNIVERSITY [CN/CN]; No.220 Handan Road Yangpu Area Shanghai 200433 (CN) (Tous Sauf US).
PIAO, Yinghua [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
GE, Liang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WU, Dongping [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHANG, Shili [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHANG, Wei [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : PIAO, Yinghua; (CN).
GE, Liang; (CN).
WU, Dongping; (CN).
ZHANG, Shili; (CN).
ZHANG, Wei; (CN)
Mandataire : SHANGHAI CHENHAO INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM GENERAL PARTNERSHIP; Room 202B 787 Zhizaoju Road Huangpu District Shanghai 200011 (CN)
Données relatives à la priorité :
201010197984.9 10.06.2010 CN
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种场效应晶体管及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)An asymmetric type field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided. The field effect transistor comprises: a semiconductor substrate(101); a gate stacking structure; side-walls (315),a source region and a drain region(406);and shallow trench isolations(102). The gate stacking structure includes a gate dielectric layer(203)formed on the semiconductor substrate(101)and an electrode layer (204)formed on the gate dielectric layer(203). The source region and the drain region (406)are asymmetric, one of the source and drain regions is provided with a PN junction, the other source and drain region is provided with a mixed junction including a Schottky junction and a PN junction.
(FR)La présente invention a trait à un transistor à effet de champ de type asymétrique et à son procédé de fabrication. Le transistor à effet de champ comprend : un substrat semi-conducteur (101) ; une structure de superposition de grille ; des parois latérales (315) ; une zone de source et une zone de drain (406) ; et des isolations de tranchée peu profonde (102). La structure de superposition de grille inclut une couche diélectrique de grille (203) qui est formée sur le substrat semi-conducteur (101) et une couche d'électrode(204) qui est formée sur la couche diélectrique de grille(203). La zone de source et la zone de drain (406) sont asymétriques, l'une des zones de source et de drain est pourvue d'une jonction PN, l'autre des zones de source et de drain est pourvue d'une jonction mixte incluant une jonction de Schottky et une jonction PN.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)