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1. (WO2011153669) CELLULE MÉMOIRE À BASSE TENSION ET BASSE CONSOMMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/153669 N° de la demande internationale : PCT/CN2010/001551
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 08.10.2010
CIB :
G11C 17/14 (2006.01) ,G11C 17/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
17
Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main
14
dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
17
Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main
08
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires
10
dans lesquelles le contenu est déterminé lors de la fabrication par une disposition prédéterminée des éléments de couplage, p.ex. mémoires ROM programmables par masque
12
utilisant des dispositifs à effet de champ
Déposants :
四川凯路威电子有限公司 SICHUAN KILOWAY ELECTRONICS INC. [CN/CN]; 中国四川省绵阳市高新区绵兴东路96号 96 East Mianxing Road High-Tech Industrial Park Mianyang Sichuan 621000, CN (AllExceptUS)
Inventeurs :
PENG, Jack, Zezhong; CN
FONG, David, Chung-Yueh; CN
Mandataire :
CHENGDU HUIDI PATENT LAW OFFICE; Room 612, Yingujiye Building No. 39 Ximianqiao Road Wuhou District Chengdu, Sichuan 610041, CN
Données relatives à la priorité :
12/796,03108.06.2010US
Titre (EN) LOW VOLTAGE AND LOW POWER MEMORY CELL
(FR) CELLULE MÉMOIRE À BASSE TENSION ET BASSE CONSOMMATION
Abrégé :
(EN) A one-time programmable (OTP) non-volatile memory cell (10) has at least two word lines (18, 20) and at least two bit lines (22, 24). The cell (10) also has a first select device (14) being connected to at least one word line (20) and one bit line (22) and a gate capacitor element (12) connected to at least one word line (18) and the first select device (14). The cell (10) also has a sense device (16) being connected in series to the gate capacitor element (12) and the first select device (14). The sense device (16) is connected to at least two bit lines (22, 24).
(FR) Une cellule mémoire non volatile programmable une seule fois (OTP) (10) comporte au moins deux lignes de mots (18, 20) et au moins deux lignes de bits (22, 24). La cellule (10) comporte également un premier dispositif de sélection (14), connecté à au moins une ligne de mots (20) et à une ligne de bits (22), et un élément capacitif de grille (12) connecté à au moins une ligne de mots (18) et au premier dispositif de sélection (14). La cellule (10) comporte également un dispositif de détection (16) qui est connecté en série à l'élément capacitif de grille (12) et au premier dispositif de sélection (14). Le dispositif de détection (16) est connecté à au moins deux lignes de bits (22, 24).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)