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1. (WO2011153228) RÉDUCTION DE LA TENEUR EN CONTAMINANTS À BASE DE CUIVRE OU DE MÉTAUX À L'ÉTAT DE TRACES DE REVÊTEMENTS OBTENUS PAR OXYDATION PAR PLASMA ÉLECTROLYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/153228    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/038746
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 01.06.2011
CIB :
C25D 5/48 (2006.01), C25D 11/04 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01J 37/16 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : MKS INSTRUMENTS, INC. [US/US]; 2 Tech Drive Suite 201 Andover, MA 01810 (US) (Tous Sauf US).
CHEN, Xing [US/US]; (US) (US Seulement).
JI, Chengxiang [CN/US]; (US) (US Seulement).
TAI, Chiu-Ying [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Xing; (US).
JI, Chengxiang; (US).
TAI, Chiu-Ying; (US)
Mandataire : BARNES, Rebecca, N.; Proskauer Rose, LLP One International Place Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
12/794,470 04.06.2010 US
Titre (EN) REDUCTION OF COPPER OR TRACE METAL CONTAMINANTS IN PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION COATINGS
(FR) RÉDUCTION DE LA TENEUR EN CONTAMINANTS À BASE DE CUIVRE OU DE MÉTAUX À L'ÉTAT DE TRACES DE REVÊTEMENTS OBTENUS PAR OXYDATION PAR PLASMA ÉLECTROLYTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for creating an oxide layer having a reduced copper concentration over a surface of an object comprising aluminum and copper for use in a semiconductor processing system. The oxide layer produced using a plasma electrolytic oxidation process has a reduced copper peak concentration, which decreases a risk of copper contamination, and includes magnesium oxides that can be converted to magnesium halide upon exposure to an excited halogen- comprising gas or halogen-comprising plasma to increase the erosion/corrosion resistance of the oxide layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de création d'une couche d'oxyde présentant une concentration réduite en cuivre à la surface d'un objet comprenant de l'aluminium et du cuivre utilisable dans un système de traitement de semi-conducteurs. La couche d'oxyde produite par un procédé d'oxydation par plasma électrolytique présente un pic de concentration en cuivre réduit, ce qui limite le risque de contamination par le cuivre. Ladite couche d'oxyde contient des oxydes de magnésium pouvant être convertis en halogénure de magnésium après exposition à un plasma halogéné ou à un gaz halogéné excité afin de renforcer la résistance à l'érosion/corrosion de la couche oxydée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)