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1. (WO2011153228) RÉDUCTION DE LA TENEUR EN CONTAMINANTS À BASE DE CUIVRE OU DE MÉTAUX À L'ÉTAT DE TRACES DE REVÊTEMENTS OBTENUS PAR OXYDATION PAR PLASMA ÉLECTROLYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/153228 N° de la demande internationale : PCT/US2011/038746
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 01.06.2011
CIB :
C25D 5/48 (2006.01) ,C25D 11/04 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01J 37/16 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
48
Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11
Revêtements électrolytiques par réaction de surface, c. à d. par formation de couches de conversion
02
Anodisation
04
de l'aluminium ou de ses alliages
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02
Détails
16
Enceintes; Récipients
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
CHEN, Xing [US/US]; US (UsOnly)
JI, Chengxiang [CN/US]; US (UsOnly)
TAI, Chiu-Ying; US (UsOnly)
MKS INSTRUMENTS, INC. [US/US]; 2 Tech Drive Suite 201 Andover, MA 01810, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
CHEN, Xing; US
JI, Chengxiang; US
TAI, Chiu-Ying; US
Mandataire :
BARNES, Rebecca, N.; Proskauer Rose, LLP One International Place Boston, MA 02110, US
Données relatives à la priorité :
12/794,47004.06.2010US
Titre (EN) REDUCTION OF COPPER OR TRACE METAL CONTAMINANTS IN PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION COATINGS
(FR) RÉDUCTION DE LA TENEUR EN CONTAMINANTS À BASE DE CUIVRE OU DE MÉTAUX À L'ÉTAT DE TRACES DE REVÊTEMENTS OBTENUS PAR OXYDATION PAR PLASMA ÉLECTROLYTIQUE
Abrégé :
(EN) A method for creating an oxide layer having a reduced copper concentration over a surface of an object comprising aluminum and copper for use in a semiconductor processing system. The oxide layer produced using a plasma electrolytic oxidation process has a reduced copper peak concentration, which decreases a risk of copper contamination, and includes magnesium oxides that can be converted to magnesium halide upon exposure to an excited halogen- comprising gas or halogen-comprising plasma to increase the erosion/corrosion resistance of the oxide layer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de création d'une couche d'oxyde présentant une concentration réduite en cuivre à la surface d'un objet comprenant de l'aluminium et du cuivre utilisable dans un système de traitement de semi-conducteurs. La couche d'oxyde produite par un procédé d'oxydation par plasma électrolytique présente un pic de concentration en cuivre réduit, ce qui limite le risque de contamination par le cuivre. Ladite couche d'oxyde contient des oxydes de magnésium pouvant être convertis en halogénure de magnésium après exposition à un plasma halogéné ou à un gaz halogéné excité afin de renforcer la résistance à l'érosion/corrosion de la couche oxydée.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)