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1. (WO2011153162) BOBINE D'INDUCTION OU TRANSFORMATEUR PROGRAMMABLE À TROUS D'INTERCONNEXION FORMÉS DANS UN SUBSTRAT À HAUTE RÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/153162    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/038604
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 31.05.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.03.2012    
CIB :
H01F 17/00 (2006.01), H01F 21/08 (2006.01), H01L 23/64 (2006.01), H01F 27/28 (2006.01), H01F 41/04 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US) (Tous Sauf US).
LI, Xia [CN/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Jonghae [KR/US]; (US) (US Seulement).
LO, Chi Shun [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Xia; (US).
KIM, Jonghae; (US).
LO, Chi Shun; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US).
GALLARDO, Michelle S.; Qualcomm Incorporated 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Données relatives à la priorité :
12/791,023 01.06.2010 US
Titre (EN) THROUGH VIA INDUCTOR OR TRANSFORMER IN A HIGH-RESISTANCE SUBSTRATE WITH PROGRAMMABILITY
(FR) BOBINE D'INDUCTION OU TRANSFORMATEUR PROGRAMMABLE À TROUS D'INTERCONNEXION FORMÉS DANS UN SUBSTRAT À HAUTE RÉSISTANCE
Abrégé : front page image
(EN)A through via inductor or transformer in a high-resistance substrate in an electronic package. In one embodiment, the package comprises a target inductor which includes a through-via formed in the substrate through which a signal passes and a tuner inductor which includes a through-via formed in the substrate such that the through-via has an independent signal passing therethrough. The direction of the signal passing through the tuner inductor can be independently controlled to adjust the total inductance of the target inductor. In another embodiment, a transformer can comprise a primary loop and a secondary loop, each of which includes a plurality of through-vias that are coupled to a plurality of conductive traces. The primary loop forms a first continuous conductive path and the secondary loop forms a second continuous conductive path. A signal passing through the primary loop can induce a signal in the secondary loop such that the induced signal is dependent on the transformer ratio.
(FR)L'invention porte sur une bobine d'induction ou un transformateur à trous d'interconnexion formés dans le substrat à haute résistance d'un boîtier électronique. Dans une forme de réalisation, le boîtier comporte une bobine d'induction cible comprenant un trou d'interconnexion formé dans le substrat dans lequel passe un signal, et une bobine d'induction de syntoniseur comprenant un trou d'interconnexion formé dans le substrat de sorte qu'un signal indépendant traverse le trou d'interconnexion. La direction du signal traversant la bobine d'induction de syntoniseur peut être commandée indépendamment pour ajuster l'inductance totale de la bobine d'induction cible. Dans une autre forme de réalisation, un transformateur peut comporter un circuit primaire et un circuit secondaire comprenant chacun plusieurs trous d'interconnexion couplés à plusieurs conducteurs minces. Le circuit primaire constitue un premier circuit conducteur continu, et le circuit secondaire constitue un deuxième circuit conducteur continu. Un signal traversant le circuit primaire peut induire un signal dans le circuit secondaire de sorte que le signal induit soit dépendant du rapport de transformation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)