WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011153095) STRUCTURES DE GRILLE MÉTALLIQUE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/153095    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/038357
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 27.05.2011
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
GANGULI, Seshadri [US/US]; (US) (US Seulement).
YU, Sang Ho [KR/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Sang-Hyeob [KR/US]; (US) (US Seulement).
HA, Hyoung-Chan [KR/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Wei Ti [US/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Hoon [KR/US]; (US) (US Seulement).
GANDIKOTA, Srinivas [US/US]; (US) (US Seulement).
LEI, Yu [CN/US]; (US) (US Seulement).
MORAES, Kevin [IN/US]; (US) (US Seulement).
TANG, Xianmin [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GANGULI, Seshadri; (US).
YU, Sang Ho; (US).
LEE, Sang-Hyeob; (US).
HA, Hyoung-Chan; (US).
LEE, Wei Ti; (US).
KIM, Hoon; (US).
GANDIKOTA, Srinivas; (US).
LEI, Yu; (US).
MORAES, Kevin; (US).
TANG, Xianmin; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; MOSER IP LAW GROUP 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702 (US)
Données relatives à la priorité :
61/351,678 04.06.2010 US
13/116,794 26.05.2011 US
Titre (EN) METAL GATE STRUCTURES AND METHODS FOR FORMING THEREOF
(FR) STRUCTURES DE GRILLE MÉTALLIQUE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)Metal gate structures and methods for forming thereof are provided herein. In some embodiments, a method for forming a metal gate structure on a substrate having a feature formed in a high k dielectric layer may include depositing a first layer within the feature atop the dielectric layer; depositing a second layer comprising cobalt or nickel within the feature atop the first layer; and depositing a third layer comprising a metal within the feature atop the second layer to fill the feature, wherein at least one of the first or second layers forms a wetting layer to form a nucleation layer for a subsequently deposited layer, wherein one of the first, second, or third layers forms a work function layer, and wherein the third layer forms a gate electrode.
(FR)La présente invention a trait à des structures de grille métallique et à leurs procédés de formation. Selon certains modes de réalisation, un procédé permettant de former une structure de grille métallique sur un substrat doté d'un élément formé dans une couche diélectrique à k élevé peut inclure les étapes consistant à déposer une première couche à l'intérieur de l'élément en haut de la couche diélectrique ; à déposer une deuxième couche comprenant du cobalt ou du nickel à l'intérieur de l'élément en haut de la première couche ; et à déposer une troisième couche comprenant un métal à l'intérieur de l'élément en haut de la deuxième couche de manière à remplir l'élément, la première et/ou la deuxième couche formant une couche de mouillage de manière à former une couche de nucléation pour une couche déposée par la suite, la première, la deuxième ou la troisième couche formant une couche de travail d'extraction et la troisième couche formant une électrode de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)