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1. (WO2011153074) PROCÉDÉ DE FORMATION DE JONCTION SANS DOMMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/153074 N° de la demande internationale : PCT/US2011/038219
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 26.05.2011
CIB :
H01L 21/223 (2006.01) ,H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : HATEM, Christopher, R.[US/US]; US (UsOnly)
GODET, Ludovic[FR/US]; US (UsOnly)
VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.[US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US (AllExceptUS)
Inventeurs : HATEM, Christopher, R.; US
GODET, Ludovic; US
Mandataire : LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US
Données relatives à la priorité :
12/792,19002.06.2010US
Titre (EN) METHOD FOR DAMAGE-FREE JUNCTION FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE JONCTION SANS DOMMAGE
Abrégé : front page image
(EN) Embodiments of this doping method may be used to improve junction formation, An implant species, such as helium or another noble gas, is implanted into a workpiece to a first depth (204). A dopant is deposited on a surface of the workpiece. During an anneal, the dopant diffuses to the first depth. The noble gas ions may at least partially amorphize the workpiece during the implant. The workpiece may be planar or non-planar. The implant and deposition may occur in a system without breaking vacuum.
(FR) Des modes de réalisation de ce procédé de dopage peuvent être utilisés pour améliorer la formation d'une jonction. Une espèce d'implantation, telle que de l'hélium ou un autre gaz noble, est implantée dans une pièce jusqu'à une première profondeur (204). Un dopant est déposé sur une surface de la pièce. Pendant un recuit, le dopant se diffuse jusqu'à la première profondeur. Des ions de gaz noble peuvent amorphiser au moins en partie la pièce pendant l'implantation. La pièce peut être plane ou non. L'implantation et le dépôt peuvent se produire dans un système sans briser le vide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)