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1. (WO2011152966) PLANARISATION CHIMIQUE ASSOCIÉE AU POLISSAGE DE PLAQUETTES EN CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/152966 N° de la demande internationale : PCT/US2011/036019
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 11.05.2011
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : WANG, You[US/US]; US (UsOnly)
TU, Wen-Chiang[US/US]; US (UsOnly)
LIU, Feng Q.[US/US]; US (UsOnly)
WANG, Yuchun[CN/US]; US (UsOnly)
KARUPPIAH, Lakshmanan[US/US]; US (UsOnly)
MC CLINTOCK, William H.[US/US]; US (UsOnly)
CHIN, Barry L.[US/US]; US (UsOnly)
APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US (AllExceptUS)
Inventeurs : WANG, You; US
TU, Wen-Chiang; US
LIU, Feng Q.; US
WANG, Yuchun; US
KARUPPIAH, Lakshmanan; US
MC CLINTOCK, William H.; US
CHIN, Barry L.; US
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582, US
Données relatives à la priorité :
61/350,12601.06.2010US
Titre (EN) CHEMICAL PLANARIZATION OF COPPER WAFER POLISHING
(FR) PLANARISATION CHIMIQUE ASSOCIÉE AU POLISSAGE DE PLAQUETTES EN CUIVRE
Abrégé : front page image
(EN) Embodiments described herein relate to removing material from a substrate. More particularly, the embodiments described herein relate to polishing or planarzing a substrate by a chemical mechanical polishing process. In one embodiment, a method of chemical mechanical polishing (CMP) of a substrate is provided. The method comprises exposing a substrate having a conductive material layer formed thereon to a polishing solution comprising phosphoric acid, one or more chelating agents, one or more corrosion inhibitors, and one or more oxidizers, forming a passivation layer on the conductive material layer, providing relative motion between the substrate and a polishing pad and removing at least a portion of the passivation layer to expose a portion of the underlying conductive material layer, and removing a portion of the exposed conductive material layer.
(FR) La présente invention concerne, selon plusieurs modes de réalisation, l'élimination de matière depuis un substrat. Les modes de réalisation décrits ici concernent, plus précisément, le polissage ou la planarisation d'un substrat par un processus de polissage mécano-chimique. Un mode de réalisation concerne un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat. Ledit procédé comprend les étapes consistant à exposer un substrat comportant une couche d'un matériau conducteur à sa surface à une solution de polissage contenant de l'acide phosphorique, un ou plusieurs agents chélateurs, un ou plusieurs inhibiteurs de corrosion et un ou plusieurs oxydants, à former une couche de passivation sur la couche constituée du matériau conducteur, à animer d'un mouvement relatif le substrat et un tampon à polir et à retirer au moins une partie de la couche de passivation afin de mettre à nu une partie de la couche constituée du matériau conducteur sous-jacente, puis à éliminer une partie de ladite couche constituée du matériau conducteur ainsi mise à nu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)