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1. (WO2011152620) SUPPORT ÉLECTROSTATIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT LE COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/152620 N° de la demande internationale : PCT/KR2011/003625
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 17.05.2011
CIB :
H01L 21/68 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
68
pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
조상범 CHO, Sang-Bum [KR/KR]; KR (UsOnly)
최명호 CHOI, Myong-Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
최진식 CHOI, Jin-Sik [KR/KR]; KR (UsOnly)
주식회사 코미코 KOMICO LTD. [KR/KR]; 경기도 안성시 신모산동 79 79 Sinmosan-dong, Anseong-si Gyeonggi-do 456-390, KR (AllExceptUS)
Inventeurs :
조상범 CHO, Sang-Bum; KR
최명호 CHOI, Myong-Ho; KR
최진식 CHOI, Jin-Sik; KR
Mandataire :
박영우 PARK, Young-Woo; 서울 강남구 역삼동 727-13 세일빌딩 5층 5F., Seil Building 727-13 Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-921, KR
Données relatives à la priorité :
10-2010-005078031.05.2010KR
Titre (EN) ELECTROSTATIC CHUCK AND A SUBSTRATE-PROCESSING DEVICE COMPRISING THE SAME
(FR) SUPPORT ÉLECTROSTATIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT LE COMPRENANT
(KO) 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
Abrégé :
(EN) An electrostatic chuck comprises an electrostatic layer and a heat-emitting layer. The electrostatic layer has disposed therein an electrostatic electrode which generates an electrostatic force for securing a substrate placed thereon, while also having a first heat transfer coefficient. The heat-emitting layer is disposed underneath the electrostatic layer and has disposed therein a heat-emitting electrode for heating the substrate, while also having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient.
(FR) La présente invention a pour objet un support électrostatique comprenant une couche électrostatique et une couche émettant de la chaleur. Dans la couche électrostatique est disposée une électrode électrostatique qui produit une force électrostatique pour la fixation d'un substrat placé sur celle-ci, tout en ayant également un premier coefficient de transfert thermique. La couche émettant de la chaleur est disposée au-dessous de la couche électrostatique et dans celle-ci est disposée une électrode émettant de la chaleur pour le chauffage du substrat, tout en ayant également un second coefficient de transfert thermique supérieur au premier coefficient de transfert thermique.
(KO) 정전척은 정전층 및 발열층을 포함한다. 정전층은 상부에 놓여지는 기판을 고정하기 위하여 정전력을 발생하는 정전 전극이 배치되면서 제1 열전달 계수를 갖는다. 발열층은 정전층의 하부에 배치되며, 기판을 가열하기 위한 발열 전극이 배치되면서 제1 열전달 계수보다 높은 제2 열전달 계수를 갖는다.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)