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1. (WO2011152577) MÉTHODE DE SYNTHÈSE DE TRICHITES DE CARBURE DE SILICIUM UTILISANT LES SÉTULES DE GLUMES DE RIZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/152577 N° de la demande internationale : PCT/KR2010/003535
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 01.06.2010
CIB :
C01B 31/36 (2006.01) ,B09B 3/00 (2006.01) ,C09C 1/28 (2006.01) ,C09C 3/04 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31
Carbone; Ses composés
30
Carbures
36
Carbures de silicium ou de bore
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
09
ÉLIMINATION DES DÉCHETS SOLIDES; RÉGÉNÉRATION DE SOLS POLLUÉS
B
ÉLIMINATION DES DÉCHETS SOLIDES
3
Destruction des déchets solides ou leur transformation en quelque chose d'utile ou de non nocif
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
C
TRAITEMENT DE SUBSTANCES INORGANIQUES, AUTRES QUE DES CHARGES FIBREUSES, POUR AMÉLIORER LEURS PROPRIÉTÉS DE PIGMENTATION OU DE CHARGE; PRÉPARATION DU NOIR DE CARBONE
1
Traitement de substances inorganiques particulières, autres que des charges fibreuses; Préparation du noir de carbone
28
Composés du silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
C
TRAITEMENT DE SUBSTANCES INORGANIQUES, AUTRES QUE DES CHARGES FIBREUSES, POUR AMÉLIORER LEURS PROPRIÉTÉS DE PIGMENTATION OU DE CHARGE; PRÉPARATION DU NOIR DE CARBONE
3
Traitement, en général, de substances inorganiques, autres que des charges fibreuses, pour améliorer leurs propriétés de pigmentation ou de charge
04
Traitement physique, p.ex. broyage, traitement par des vibrations ultrasoniques
Déposants :
이영조 LEE, Young-Jo [KR/KR]; KR (UsOnly)
김진영 KIM, Jin-Young [KR/KR]; KR (UsOnly)
정용호 CHUNG, Yong-Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
강영신 KANG, Young-Shin [KR/KR]; KR (UsOnly)
권용덕 KWON, Yong Duk [KR/KR]; KR (UsOnly)
쌍용머티리얼 주식회사 SSANGYONG MATERIALS CORPORATION [KR/KR]; 대구광역시 달서구 월암동 1-85 1-85 Woram-dong, Dalseo-gu Daegu 704-320, KR (AllExceptUS)
Inventeurs :
이영조 LEE, Young-Jo; KR
김진영 KIM, Jin-Young; KR
정용호 CHUNG, Yong-Ho; KR
강영신 KANG, Young-Shin; KR
권용덕 KWON, Yong Duk; KR
Mandataire :
조영현 CHO, Young Hyun; 서울특별시 강남구 역삼동 725-25 포커스빌딩 3층 3F, Focus Building 725-25, Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080, KR
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SYNTHESIS METHOD OF SILICON CARBIDE WHISKERS USING SETAE OF RICE HULLS
(FR) MÉTHODE DE SYNTHÈSE DE TRICHITES DE CARBURE DE SILICIUM UTILISANT LES SÉTULES DE GLUMES DE RIZ
(KO) 왕겨의 강모를 이용한 탄화규소 휘스커의 합성방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a synthesis method of silicon carbide whiskers using setae of rice hulls, comprising: the mixing step of preparing material for synthesis by using the setae or mixing the setae and a carbon compound; the first heat treatment step of heating the material for synthesis at 200-1,000 ℃ for 2-24 hours; the impurities removing step of heating the first heat-treated material at 1,000-1,200 ℃ for 30 minutes to 3 hours to remove first impurities; the first synthesis step of heating the impurities-removed material at 1,200-1,500 ℃ for 5 minutes to 3 hours to generate a nucleus of silicon carbide whiskers; and the second synthesis step of heating the material passing through the first synthesis step at 1,550-2,000 ℃ for 5 minutes to 10 hours to grow the nucleus of silicon carbide whiskers, thereby preparing the silicon carbide whiskers. According to the present invention, whiskers are prepared by using setae instead of conventional rice hulls or carrying out synthesis with the setae and a carbon compound under optimum conditions, thereby improving a production yield of silicon carbide whiskers by three times or more compared with the conventional case, enhancing economical efficiency due to cheap material costs, and improving the quality of the prepared silicon carbide whiskers.
(FR) La présente invention concerne une méthode de synthèse de trichites de carbure de silicium utilisant des sétules de glumes de riz, ladite méthode comprenant : l'étape de mélangeage pour préparer la matière à la synthèse en employant les sétules ou en mélangeant les sétules et un composé carboné ; la première étape de traitement thermique pour chauffer la matière destinée à la synthèse à une température comprise entre 200 et 1000 °C pendant 2 à 24 heures ; l'étape d'élimination des impuretés consistant en le chauffage de la première matière thermiquement traitée à une température comprise entre 1000 et 1200 °C pendant 30 minutes à 3 heures pour éliminer les premières impuretés ; la première étape de synthèse consistant en le chauffage de la matière débarrassée des impuretés à une température comprise entre 1200 et 1500 °C pendant 5 minutes à 3 heures pour générer un noyau de trichites de carbure de silicium ; et la seconde étape de synthèse consistant en le chauffage de la matière soumise à la première étape de synthèse à une température comprise entre 1550 et 2000 °C pendant 5 minutes à 10 heures pour faire croître le noyau de trichites de carbure de silicium, afin d'obtenir les trichites de carbure de silicium. Selon la présente invention, les trichites sont préparées avec des sétules au lieu des glumes de riz classiques, ou en mettant en œuvre une synthèse avec les sétules et un composé carboné dans des conditions optimales, multipliant ainsi le rendement de production des trichites de carbure de silicium par trois ou plus par rapport au cas classique, améliorant la rentabilité du fait du faible coût des matières premières et augmentant la qualité des trichites de carbure de silicium préparées.
(KO) 본 발명은 왕겨의 강모를 이용한 탄화규소 휘스커의 합성방법에 관한 것으로서, 상기 강모, 또는 상기 강모와 카본화합물을 혼합하여 합성원료를 제조하는 혼합단계; 상기 합성원료를 200℃ 내지 1000℃의 온도에서 2시간 내지 24시간동안 가열하는 제 1열처리단계; 상기 제 1열처리단계를 거친 합성원료를 1000℃ 내지 1200℃의 온도로 30분 내지 3시간동안 가열하여 1차불순물을 제거하는 불순물 제거단계; 상기 불순물 제거단계를 거친 합성원료를 1200℃ 내지 1500℃의 온도로 5분 내지 3시간동안 가열하여 탄화규소 휘스커의 핵을 생성하는 제 1합성단계; 상기 제 1합성단계를 거친 합성원료를 1550℃ 내지 2000℃의 온도로 5분 내지 10시간동안 가열하여 상기 탄화규소 휘스커의 핵을 성장시켜 탄화규소 휘스커를 제조하는 제 2합성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래의 왕겨 대신 강모 자체로 휘스커를 합성하거나, 상기 강모와 카본화합물을 최적의 조건하에 합성함으로써, 탄화규소 휘스커의 생산수율이 종래에 비해 3배이상 향상될 뿐만 아니라, 저렴한 원료단가로 경제성 또한 향상되고, 제조된 탄화규소 휘스커의 품질도 우수한 장점이 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)