Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2011152474) DISPOSITIF D'ANALYSE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/152474 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/062638
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 01.06.2011
CIB :
G01N 27/00 (2006.01) ,C12M 1/00 (2006.01) ,G01N 27/414 (2006.01) ,G01N 27/416 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
12
BIOCHIMIE; BIÈRE; SPIRITUEUX; VIN; VINAIGRE; MICROBIOLOGIE; ENZYMOLOGIE; TECHNIQUES DE MUTATION OU DE GÉNÉTIQUE
M
APPAREILLAGE POUR L'ENZYMOLOGIE OU LA MICROBIOLOGIE
1
Appareillage pour l'enzymologie ou la microbiologie
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
416
Systèmes
Déposants :
坂本 憲児 SAKAMOTO Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
三宅 亮 MIYAKE Ryo [JP/JP]; JP (UsOnly)
村上 裕二 MURAKAMI Yuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
石野 祥太郎 ISHINO Shotaro [JP/JP]; JP (UsOnly)
宮原 裕二 MIYAHARA Yuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
国立大学法人広島大学 HIROSHIMA UNIVERSITY [JP/JP]; 広島県東広島市鏡山一丁目3番2号 3-2, Kagamiyama 1-chome, Higashi-Hiroshima-shi, Hiroshima 7398511, JP (AllExceptUS)
独立行政法人物質・材料研究機構 NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 茨城県つくば市千現一丁目2番地1 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047, JP (AllExceptUS)
Inventeurs :
坂本 憲児 SAKAMOTO Kenji; JP
三宅 亮 MIYAKE Ryo; JP
村上 裕二 MURAKAMI Yuji; JP
石野 祥太郎 ISHINO Shotaro; JP
宮原 裕二 MIYAHARA Yuji; JP
Mandataire :
木村 満 KIMURA Mitsuru; 東京都千代田区神田錦町二丁目7番地 協販ビル2階 2nd Floor, Kyohan Building, 7, Kandanishiki-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054, JP
Données relatives à la priorité :
2010-12633501.06.2010JP
Titre (EN) ANALYSIS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF D'ANALYSE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 解析装置及び解析装置の製造方法
Abrégé :
(EN) In order to analyse a target quickly and at low cost: a recess section (2) is formed on a semi conductor substrate (1) by means of deep etching; a sensor section (5), which is an electric field-effect device formed in the recess section (2), has electrical properties which change according to the reactions of a target reagent which has been set in a gate region; pump units (6A, 6B) are formed inside the recess section (2) in order to implement the supply and/or discharge of a fluid which contains the reagent to the sensor section (5); and a cover section (3) is bonded to the semiconductor substrate (1) so as to cover the recess section (2), and is provided with an injection opening and a discharge opening for the fluid relative to the recess section (2).
(FR) Pour analyser une cible rapidement et à bas coût selon l'invention : une section à évidements (2) est formée sur un substrat semi-conducteur (1) par un procédé de gravure profonde ; une section détecteur (5), qui est un dispositif à effet de champ électrique formé dans la section à évidements (2), a des propriétés électriques qui varient en fonction des réactions d'un réactif cible qui a été placé dans une région de porte ; des unités de pompe (6A, 6B) sont formées dans la section à évidements (2) pour introduire un fluide qui contient le réactif dans la section détecteur (5) ou le décharger ; et une section couvercle (3) est jointe au substrat semi-conducteur (1) de façon à couvrir la section à évidements (2), ladite section couvercle (3) étant dotée d'une ouverture d'injection et d'une ouverture de décharge pour le fluide par rapport à la section à évidements (2).
(JA)  迅速かつ安価にターゲットを解析する。凹部2は、深堀エッチングにより半導体基板1上に形成されている。センサ部5は、凹部2内に形成された電界効果デバイスであって、ゲート領域にセットされたターゲットの試薬に対する反応に応じて電気的特性を変化させる。ポンプ部6A、6Bは、センサ部5に対する試薬を含む液体の供給及び排出の少なくとも一方を行うために凹部2内に形成されている。カバー部3は、凹部2を覆うように半導体基板1に張り合わされ、凹部2に対する液体の注入口と排出口とが設けられている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)